[发明专利]一种非易失性存储器的读取方法、装置及系统在审
申请号: | 202010473308.3 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111625200A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 张君宇;刘璟;谢元禄;霍长兴;张坤;呼红阳;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非易失性存储器 读取 方法 装置 系统 | ||
1.一种非易失性存储器的读取方法,其特征在于,包括:
使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取,得到初始读取结果,所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个;
判断所述初始读取结果是否满足预设要求,所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量;
若所述初始读取结果不满足预设要求,执行预设步骤,直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求,或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求;
当使用所述某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求时,对满足所述预设要求的所述读取结果进行纠错,并将纠错后的数据发送至上位机;
其中,所述预设步骤包括:
从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件;
基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取,得到读取结果;
判断所述读取结果是否满足所述预设要求。
2.根据权利要求1所述的读取方法,其特征在于,还包括:
当使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求时,将未经纠错的读取结果以及纠错提示信息发送至所述上位机。
3.根据权利要求1所述的读取方法,其特征在于,所述读取条件中包括多个参数,所述多个参数包括读取电压、电流阈值以及读取时长。
4.根据权利要求1所述的读取方法,其特征在于,在从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件时,根据外部影响因素的变化情况选取相对应的读取条件,所述外部影响因素包括电源电压、外界温度以及噪声。
5.根据权利要求1所述的读取方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括:阻变存储器、相变存储器以及磁存储器。
6.一种非易失性存储器的读取装置,其特征在于,包括:
第一读取单元,用于使用初始读取条件对非易失性存储器的数据页中的数据进行读取,得到初始读取结果,所述初始读取条件为预设的多个读取条件中的一个;
第一判断单元,用于判断所述初始读取结果是否满足预设要求,所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量;
循环迭代单元,用于在所述初始读取结果不满足预设要求的情况下,执行预设步骤,直至使用所述多个读取条件中的各个读取条件得到的各个读取结果均不满足所述预设要求,或者直至使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求;
数据纠错单元,用于在使用所述多个读取条件中的某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求的情况下,对所述读取结果进行纠错,并将纠错后的数据发送至上位机;
其中,所述循环迭代单元包括:
读取条件选取子单元,用于从所述预设的多个读取条件中选取未使用的读取条件;
第二读取子单元,用于基于所述未使用的读取条件对所述数据页中的数据进行读取,得到读取结果;
第一判断子单元,用于判断所述读取结果是否满足所述预设要求。
7.一种非易失性存储器的读取系统,其特征在于,包括:
非易失性存储器,所述非易失性存储器包括存储阵列与错误编码纠正模块;
与所述非易失性存储器相连的控制模块;
与所述控制模块相连的上位机;
其中,所述存储阵列用于存储数据页;
所述错误编码纠正模块用于接收所述控制模块发来的读取结果,判断所述读取结果是否满足预设要求,以及对满足所述预设要求的读取结果进行纠错,所述预设要求为读取结果中的错误比特数量小于等于预设数量;
所述控制模块用于从预设的多个读取条件中选择读取条件,并利用选择的读取条件对所述数据页中的数据进行读取,将读取结果输入所述错误编码纠正模块,当所述初始读取结果不满足所述预设要求时,从预设的多个读取条件中选取其他读取条件进行读取,直至各个读取条件得到的读取结果均不满足所述预设要求,或者直至某个读取条件得到的读取结果满足所述预设要求;所述控制模块还用于将纠错后的数据发送至上位机。
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