[发明专利]一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法有效

专利信息
申请号: 202010473422.6 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111816574B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 耿开远 申请(专利权)人: 济宁东方芯电子科技有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 卢登涛
地址: 272100 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 uv 模板 利用 实现 洁净 玻璃 钝化 方法
【说明书】:

发明属于半导体技术领域,具体涉及一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法,UV膜模板,包括UV膜,UV膜上设有若干段镂空区,相邻镂空区端部之间形成UV膜连接区。本发明利用了UV膜自身有粘性粘贴到硅片表面,刮涂时采用镂空区对玻璃进行选择性填入芯片槽,芯片槽填充后除去UV膜模板,可彻底清除残留的玻璃粉,解决了现有技术中刮涂玻璃钝化时硅片表面清洁不净的技术问题;本发明获得了良好的玻璃钝化效果,可以非常好的保护PN结界面;本发明玻璃有效地保护到了上沿,避免了光刻胶涂布不好的问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法。

背景技术

目前半导体行业内器件的耐压主要实现方式是靠钝化。而其中典型的台面器件是靠台面槽内填充玻璃来实现可靠的耐压。用玻璃来进行钝化主要有三种方法:刀刮法、光阻法和电泳法,其中光阻和电泳对设备要求高,投资大,过程控制复杂,工艺稳定性差,成本高,普及率不高。而刀刮法设备简易,投资低,工艺也操作简单,普及率最高。

刀刮法虽然有很多优点,但同时也存在弊端。典型的是此方法需进行表面除净处理(因刀刮时整个表面都有玻璃),既不易除彻底,同时除净会导致芯片槽内的玻璃受到损伤,导致需保护的界面玻璃缺损,此缺损会导致电压变坏,产品报废或早期失效,使芯片电性变差、可靠性降低,给质量带来隐患,另外,硅片生产过程中需要多次光刻,需要涂布液态光刻胶以阻挡酸液的腐蚀,而常规玻璃有不完整的边界处光刻胶很难保护,导致后期腐蚀时玻璃层被破坏,最终会导致产品报废或早期失效。

发明内容

本发明目的在于提供一种UV膜模板及利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法,解决了现有技术中采用刮涂法玻璃钝化时,硅片表面清洁不净、和芯片槽内玻璃易收到损伤的技术问题。

本发明所述的UV膜模板,包括UV膜,UV膜上设有若干段镂空区,相邻镂空区端部之间形成UV膜连接区。

所有镂空区与所有UV膜连接区形成的形状与硅片上芯片槽对应。

UV膜连接区宽度为大于0mm并且小于0.3mm。

硅片为GPP类二极管、三极管、可控硅芯片中的一种。

UV膜连接区为2-4处。

本发明所述利用UV膜模板实现洁净玻璃钝化的方法,包括如下步骤:

(1)在UV膜上根据硅片芯片槽的图形镂空出多段镂空区,相邻镂空区端部之间形成UV膜连接区,根据芯片图形在硅片上的位置将UV膜裁切成与硅片尺寸相符的形状,利用显微镜将UV膜贴在硅片上,镂空区对应硅片上芯片槽;

(2)在UV膜表面刮涂玻璃粉,玻璃粉进入芯片槽内,刮涂完毕后,烘干将带UV膜的硅片放置于UV灯下照射,即可将UV膜取下,除了芯片槽以外的区域玻璃得以彻底清除。

镂空处理的方式为激光或磨具镂空。

烘干处理的工艺为:温度为80-100℃,时间为3-10min。

UV膜光照功率为80-120mW/cm,照射时间为40-45s。

本发明的原理为:本发明利用了UV膜自身有粘性,而UV光照后粘性基本消除的特性,实现了选择性填充,本发明利用UV膜根据芯片槽图形镂空出镂空区,以便于玻璃的填入,镂空区之间的UV膜连接区,以保证整个膜的完整且不易变形,当UV膜模板粘贴覆盖在硅片表面时,由于限定了UV膜连接区宽度为大于0mm并且小于0.3mm,填充玻璃浆-乳胶液时会自动进入连接区下方芯片槽内。

本发明与现有技术相比,具有以下有益效果。

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