[发明专利]阵列基板、显示模组及显示装置有效
申请号: | 202010473507.4 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111682027B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 王天赐;金慧俊;潘陟成 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201100 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 模组 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括栅极驱动单元;
所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第三金属层设置于所述第一金属层和所述衬底基板之间;
任一所述栅极驱动单元包括第一晶体管和第一电容,所述第一晶体管包括栅电极、源极和漏极,复用至少部分所述第一金属层形成所述栅电极,复用至少部分所述第二金属层形成所述源极和所述漏极;所述第一电容包括沿垂直于所述衬底基板的方向相对设置的第一极板和第二极板,复用至少部分所述第一金属层形成所述第一极板,且复用至少部分所述第三金属层形成所述第二极板,所述第一极板在所述衬底基板上的正投影和所述第二极板在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
所述栅电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极和所述漏极在所述衬底基板上的正投影;
所述栅电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一极板和所述第二极板在所述衬底基板上正投影的交叠区域至少部分交叠;
所述栅极驱动单元包括第一区域、第二区域和第三区域,所述第三金属层设置于所述第一区域和至少部分所述第二区域中、且所述第三金属层不位于所述第三区域中,所述栅电极设置于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域,所述源极和所述漏极至少设置于所述第一区域和所述第三区域;其中,沿第一方向上,所述第一区域和所述第三区域设置于所述第二区域两侧,所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域无缝连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第三金属层与所述源极或所述漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极包括第一子金属条和与所述第一子金属条电连接的若干第二子金属条,所述漏极包括第三子金属条和与所述第三子金属条电连接的若干第四子金属条;
其中,沿第二方向,所述第一子金属条和所述第三子金属条相对设置,所述第二子金属条和所述第四子金属条设置于所述第一子金属条和所述第三子金属条之间;且所述第二子金属条和所述第四子金属条沿所述第一方向交替设置,任一相邻设置的所述第二子金属条和所述第四子金属条绝缘;所述第一方向和所述第二方向相交。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,至少一条所述第二子金属条或至少一条所述第四子金属条设置于所述第二区域;设置于所述第二区域的所述第二子金属条或所述第四子金属条在所述衬底基板上的正投影与所述第三金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
其中,沿所述第一方向,设置于所述第二区域的所述第二子金属条或所述第四子金属条的宽度为D1,设置于所述第一区域或所述第三区域中的所述第二子金属条或所述第四子金属条的宽度为D2,其中D1>D2。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二区域不设置所述第二子金属条或所述第四子金属条;相邻设置于所述第二区域两侧的所述第二子金属条和所述第四子金属条之间包括第一间隙,所述第一间隙在所述衬底基板上的正投影与所述第三金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;
其中,沿所述第一方向,所述第一间隙的宽度为D3,相邻设置于所述第一区域或所述第三区域中的所述第二子金属条和所述第四子金属条之间宽度为D4,其中D3>D4。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括非晶硅层,在任一所述栅极驱动单元中,所述非晶硅层设置于所述源极、所述漏极和所述栅电极之间;所述非晶硅层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、所述漏极在所述衬底基板上的正投影,且所述非晶硅层在所述衬底基板上的正投影和所述第三金属层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的