[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，所述衬底具有外围电路区与阵列存储区；

在所述衬底上开设凹槽并使至少部分所述凹槽对应所述外围电路区设置；

形成覆盖所述凹槽的牺牲层；

形成位于所述衬底的所述阵列存储区上的堆栈结构；

形成覆盖所述衬底以及所述堆栈结构的介电层；

形成贯穿所述介电层与所述堆栈结构的第一栅缝隙，所述第一栅缝隙覆盖所述衬底的所述外围电路区与所述阵列存储区，所述第一栅缝隙露出所述凹槽内的所述牺牲层；

去除设于所述凹槽内的所述牺牲层以使所述第一栅缝隙与所述凹槽连通形成栅缝隙。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“在所述衬底上开设凹槽并使至少部分所述凹槽对应所述外围电路区设置”包括：

在所述衬底上开设凹槽并使部分所述凹槽对应所述外围电路区设置，其余的所述凹槽对应所述阵列存储区设置。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成贯穿所述介电层与所述堆栈结构的第一栅缝隙”包括：

定义开设所述凹槽的所述衬底的表面为第一表面，在平行于所述第一表面的方向上，所述凹槽的开口口径大于所述第一栅缝隙的开口口径。

4.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，所述衬底具外围电路区与阵列存储区；

在所述衬底上开设凹槽并使至少部分所述凹槽对应所述外围电路区设置；

形成覆盖所述衬底以及所述凹槽的牺牲层，再形成覆盖所述牺牲层的第一堆栈结构；

形成贯穿所述第一堆栈结构的第一栅缝隙，并使所述第一栅缝隙位于所述阵列存储区内；

形成填充所述第一栅缝隙的刻蚀阻挡层；

形成覆盖所述第一堆栈结构与所述刻蚀阻挡层的第二堆栈结构；

去除对应所述外围电路区、以及靠近所述外围电路区的部分所述第二堆栈结构与部分所述第一堆栈结构，以形成堆栈结构；

去除对应所述外围电路区且设于所述衬底上的所述牺牲层，以露出所述衬底；

形成覆盖所述衬底以及所述堆栈结构的介电层；

形成贯穿所述介电层与所述堆栈结构的第二栅缝隙；所述第二栅缝隙覆盖所述衬底的所述外围电路区与所述阵列存储区，所述第二栅缝隙露出所述第一栅缝隙内的所述刻蚀阻挡层所述第二栅缝隙露出所述凹槽内的所述牺牲层；

去除所述刻蚀阻挡层，以使所述第一栅缝隙与所述第二栅缝隙连通形成栅缝隙；

去除设于所述衬底上的所述牺牲层以形成空槽；去除设于所述凹槽内的所述牺牲层以使所述第二栅缝隙与所述凹槽连通形成所述栅缝隙。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，“在所述衬底上开设凹槽并使至少部分所述凹槽对应所述外围电路区设置”包括：

在所述衬底上开设凹槽并使部分所述凹槽对应所述外围电路区设置，其余的所述凹槽对应所述阵列存储区设置。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，“去除对应所述外围电路区且设于所述衬底上的所述牺牲层”包括：

去除对应所述外围电路区且设于所述衬底上的所述牺牲层，并使设于所述衬底上的部分所述牺牲层正对应所述凹槽内的所述牺牲层设置。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，“形成贯穿所述第一堆栈结构的第一栅缝隙，并使所述第一栅缝隙位于所述阵列存储区内；”包括：

形成贯穿所述第一堆栈结构的第一栅缝隙，并使所述第一栅缝隙位于所述阵列存储区内，且使所述第一栅缝隙与所述外围电路区之间具有间隙。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，“形成贯穿所述第一堆栈结构的第一栅缝隙，并使所述第一栅缝隙位于所述阵列存储区内，且使所述第一栅缝隙与所述外围电路区具有间隙”包括：

形成贯穿所述第一堆栈结构的第一栅缝隙，并使所述第一栅缝隙位于所述阵列存储区内，且使所述第一栅缝隙与所述外围电路区具有间隙，还使部分所述第一栅缝隙正对应所述凹槽内的所述牺牲层设置。