[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

第一器件管芯；

第二器件管芯，接合至所述第一器件管芯，其中，所述第二器件管芯大于所述第一器件管芯，并且其中，所述第一器件管芯的第一接合焊盘通过金属至金属接合而接合至所述第二器件管芯的第二接合焊盘，并且所述第一器件管芯的第一表面介电层通过熔融接合而接合至所述第二器件管芯的第二表面介电层；

第一隔离区，所述第一器件管芯密封在所述第一隔离区中，其中，所述第一器件管芯、所述第二器件管芯、以及所述第一隔离区形成第一封装件的部分；

第三器件管芯，接合至所述第一封装件，其中，所述第三器件管芯大于所述第一封装件，并且其中，所述第三器件管芯的第三接合焊盘通过金属至金属接合而接合至所述第一封装件的第四接合焊盘，并且所述第三器件管芯的第三表面介电层通过熔融接合而接合至所述第一封装件的第四表面介电层；以及

第二隔离区，所述第一封装件密封在所述第二隔离区中，其中，所述第一封装件、所述第三器件管芯、以及所述第二隔离区形成第二封装件的部分，

其中，所述第二器件管芯和所述第三器件管芯分别位于所述第一器件管芯的正面和背面上。

2.根据权利要求1所述的封装件，还包括：第一贯穿通孔，穿透所述第一隔离区，其中，所述第一贯穿通孔将所述第二器件管芯直接连接至所述第三器件管芯。

3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一器件管芯的厚度在15μm和30μm之间。

4.根据权利要求1所述的封装件，还包括：

第四器件管芯，接合至所述第二封装件，其中，所述第四器件管芯大于所述第二封装件，并且其中，所述第四器件管芯的第五接合焊盘通过金属至金属接合而接合至所述第二封装件的第六接合焊盘，并且所述第四器件管芯的第五表面介电层通过熔融接合而接合至所述第二封装件的第六表面介电层；以及

第三隔离区，所述第二封装件密封在所述第三隔离区中，其中，所述第二封装件、所述第四器件管芯、以及所述第三隔离区形成第三封装件的部分。

5.根据权利要求4所述的封装件，还包括：

第五器件管芯，接合至所述第三封装件，其中，所述第五器件管芯大于所述第三封装件，并且其中，所述第五器件管芯的第七接合焊盘通过金属至金属接合而接合至所述第三封装件的第八接合焊盘，并且所述第五器件管芯的第七表面介电层通过熔融接合而接合至所述第三封装件的第八表面介电层；以及

第四隔离区，所述第三封装件密封在所述第四隔离区中，其中，所述第三封装件、所述第五器件管芯、以及所述第四隔离区形成第四封装件的部分。

6.根据权利要求5所述的封装件，还包括：

密封剂，所述第四封装件密封在所述密封剂中；以及

再分布线，形成在所述密封剂和所述第四封装件上方，其中，所述再分布线横向延伸超过所述第四封装件的相对边缘。

7.根据权利要求4所述的封装件，还包括：第二贯穿通孔，穿透所述第二隔离区，其中，所述第二贯穿通孔将所述第三器件管芯和所述第四器件管芯电互连。

8.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一隔离区包括：

氮化硅衬垫，接触所述第一器件管芯和所述第二器件管芯二者；以及

氧化物区，位于所述氮化硅衬垫上。

9.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一封装件的所述第四表面介电层具有的相对边缘与所述第二器件管芯的半导体衬底的对应相对边缘齐平。