[发明专利]测试结构、测试方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的测试结构，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件，其特征在于，所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：

第一测试电极以及第二测试电极；所述第一测试电极与所述第二测试电极之间具有绝缘介质；

所述第一测试电极与第一测试端子电连接，所述第二测试电极与所述半导体衬底电连接，复用所述半导体衬底为第二测试端子，所述第一测试端子与所述第二测试端子用于在所述第一测试电极以及所述第二测试电极之间形成电压差，以检测所述第一测试电极与所述第二测试电极之间的金属间介质漏电流。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试电极与所述半导体衬底之间至少具有一层绝缘层，所述第二测试电极与所述半导体衬底通过通孔电连接。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述半导体器件包括金属部件；

所述第一测试电极与所述半导体器件中的第一金属层同层制备；

所述第二测试电极与所述半导体器件中的第二金属层同层制备。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述第一测试电极与所述第二测试电极同层，二者位于同一绝缘介质层表面。

5.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述第一测试电极与所述第二测试电极相对设置，且二者之间至少具有一层绝缘介质层。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试电极位于所述第一测试电极与所述半导体衬底之间。

7.根据权利要求1-6任一项所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括第一梳齿电极以及第二梳齿电极，在垂直于所述半导体衬底的方向上，所述第一梳齿电极与所述第二梳齿电极在所述半导体衬底上的正投影相互嵌套；

所述第一梳齿电极包括多个平行设置的所述第一测试电极，所述第二梳齿电极包括多个平行设置的所述第二测试电极，在平行于所述半导体衬底的方向上，所述第一测试电极与所述第二测试电极交替排布。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试电极具有相对的第一端和第二端，所述第一梳齿电极具有与所有所述第一测试电极的第一端均电连接的第一导电部，所述第一导电部与所述第一测试端子电连接；

所述第二测试电极具有相对的第一端和第二端，所述第二梳齿电极有与所有所述第二测试电极的第二端均电连接的第二导电部，所述第二梳齿电极与所述半导体衬底之间具有至少一层绝缘介质层，所述第二导电部通过多个通孔与所述半导体衬底电连接。

9.一种金属间介质漏电流的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

在半导体衬底的一个表面形成半导体器件以及如权利要求1-8任一项所述的测试结构；所述测试结构具有第一测试电极以及第二测试电极；

将所述半导体衬底放置于测试机台的金属托盘上，所述金属托盘接地，为所述半导体衬底提供零电位；

为所述测试结构的第一测试端子提供电压信号，以在所述第一测试电极以及所述第二测试电极之间形成电压差，获取所述第一测试电极与所述第二测试电极之间的测试电流信号。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，还包括：

基于不同的所述电压信号及其对应的所述测试电流信号，绘制伏安特性曲线；

基于所述伏安特性曲线，确定所述绝缘介质的电性参数。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-8任一项所述的测试结构。