[发明专利]鳍式场效应晶体管（FinFET）器件结构在审

申请号：	202010473668.3	申请日：	2015-07-23
公开（公告）号：	CN111668217A	公开（公告）日：	2020-09-15
发明（设计）人：	陈建颖;程潼文;张哲诚;倪俊龙;林志忠;林志翰	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L27/092	分类号：	H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/762
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	场效应晶体管 finfet 器件结构
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【权利要求书】：

1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：

衬底；

第一鳍结构和第二鳍结构，在所述衬底之上延伸；

第一晶体管，形成在所述第一鳍结构上；

第二晶体管，形成在所述第二鳍结构上；以及

层间介电结构，形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的端到端间隙中，其中，所述端到端间隙的侧壁为垂直侧壁，并且所述端到端间隙具有在从10nm至50nm的范围内的宽度。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一晶体管是n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)，并且所述第二晶体管是p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，还包括：

隔离结构，形成在所述衬底上，其中，所述第一鳍结构的上部和所述第二鳍结构的上部从所述隔离结构突出。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一晶体管包括：

第一栅极介电层，形成在所述第一鳍结构的顶面和侧壁上；和

第一栅电极，形成在所述第一栅极介电层上；以及

其中，所述第二晶体管包括：

第二栅极介电层，形成在所述第二鳍结构的顶面和侧壁上；和

第二栅电极，形成在所述第二栅极介电层上。

5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述层间介电结构的侧壁具有底部和顶部，所述第一栅极介电层覆盖所述ILD结构的侧壁的所述底部，并且所述第一栅电极覆盖所述层间介电结构的侧壁的所述顶部。

6.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一栅极介电层和所述第二栅极介电层是高k介电层，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极是金属栅电极。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述层间介电结构的侧壁和所述第一鳍结构的侧壁之间的端盖距离在从0.01nm至50nm的范围内。

8.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：

衬底；

隔离结构，形成在所述衬底上；

第一鳍结构，嵌入在所述隔离结构中；

第一晶体管，形成在所述第一鳍结构上；

第二晶体管，形成在所述第一鳍结构和所述隔离结构上；

9.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一晶体管包括：

第一栅极介电层，形成在所述第一鳍结构上；和

第一栅电极，形成在所述第一栅极介电层上；以及

其中，所述第二晶体管包括：

第二栅极介电层，形成在所述第一鳍结构和所述隔离结构上；和

第二栅电极，形成在所述第二栅极介电层上。

10.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述第一栅极介电层和所述第二栅极介电层是高k介电层，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极是金属栅电极。

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