[发明专利]耐辐射低衰减千兆网线及其制备方法

权利要求书

1.一种耐辐射低衰减千兆网线，其特征在于，包括：多个平行线对单元，所述多个平行线对单元的外部绕包有内屏蔽层(5)，所述内屏蔽层(5)的外部设置有外屏蔽层(6)，所述外屏蔽层(6)的外部设置有护套(7)；

其中，所述平行线对单元含有两根导线(1)、一根泄流线(2)和绝缘层(3)，所述绝缘层(3)绕包于所述导线(1)和泄流线(2)的外部；所述导线(1)包括镀银铜线芯和线芯绝缘层，所述镀银铜线芯由(18-20)股组成且直径为(0.125-0.130)mm，所述线芯绝缘层绕包于所述镀银铜线芯的外部，所述线芯绝缘层为聚四氟乙烯薄膜绕包层；所述绝缘层(3)为聚酰亚胺铝塑复合带绝缘层；所述内屏蔽层(5)为铝塑复合薄膜层，所述外屏蔽层(6)为镀银铜线编织层，所述护套(7)为交联乙烯-四氟乙烯共聚物护套；其中，所述内屏蔽层(5)内还设置有多个填充芯(4)，所述填充芯(4)位于填充于多个平行线对单元之间，所述填充芯(4)为聚四氟乙烯填充芯，所述填充芯(4)的直径为(0.95-1.05)mm；

所述线芯绝缘层中的聚四氟乙烯薄膜的厚度为(0.045-0.055)mm；

所述绝缘层(3)中的聚酰亚胺铝塑复合带的厚度为(0.045-0.055)mm，搭盖率不大于45％；

所述绝缘层(3)外贴覆有聚四氟乙烯薄膜色条，所述聚四氟乙烯薄膜色条的厚度为(0.030-0.040)mm，宽度为(2.8-3.2)mm；

所述镀银铜线芯的偏差为(0.004-0.006)mm。

2.根据权利要求1所述的耐辐射低衰减千兆网线，其中，所述泄流线(2)由6-8股组成，直径为(0.15-0.17)mm。

3.根据权利要求1所述的耐辐射低衰减千兆网线，其中，所述平行线对单元的个数为(7-10)个。

4.根据权利要求1所述的耐辐射低衰减千兆网线，其中，所述内屏蔽层(5)中的铝塑复合薄膜的编织密度不小于93％。

5.一种如权利要求1-4中任意一项所述的耐辐射低衰减千兆网线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

1)将两根导线(1)和一根泄流线(2)的外部绕包聚酰亚胺铝塑复合带形成绝缘层(3)；

2)将铝塑复合薄膜绕包于所述绝缘层(3)的外部形成内屏蔽层(5)；

3)将镀银铜线编织于所述内屏蔽层(5)的外部形成外屏蔽层(6)；

4)将交联乙烯-四氟乙烯共聚物包覆于所述外屏蔽层(6)的外部形成护套(7)。