[发明专利]有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种有机树脂膜的去除方法，其包含：光照射工序[4‑1]，其向在构造物(40)上被赋予的有机树脂膜(50)，照射特定波长区域的照射光IL；抗蚀剂剥离工序(剥离工序的一个例子)[4‑2]，其在所述光照射工序[4‑1]后，从构造物(40)上剥离抗蚀剂膜(50)，通过有机树脂膜的去除方法去除。

技术区域

由本说明书公开的技术涉及一种有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为半导体的一个例子，已知包含：包含半导体膜、金属膜等的导电膜TFT(ThinFilm Transistor、薄膜晶体管)的开关元件被设置的阵列基板(TFT基板、薄膜晶体管基板)为公众所知。阵列基板构成例如液晶面板等显示面板，通过在玻璃基板上，各种膜等被蚀刻成图案状，来使TFT、电极、栅极配线、源极配线等的各种结构物被设置。用于图案形成的抗蚀剂膜，通常由有机树脂构成，在蚀刻后，通过剥离液清洗处理、氧灰化处理等被剥离去除，但是若抗蚀剂膜未被完整地剥离而残存，则会导致各种的不良。因此，例如在以下专利文献1中提出了，剥离处理之前，通过预先使得抗蚀剂膜回流变形，来缩短剥离处理时间的方法。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：特许3522249号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在专利文献1中，通过将基板等的对象物暴露于药液气体中，而使得抗蚀剂膜回流变形，并对膜厚进行薄型化。在这样的方法中，需要用于将对象物暴露于药液气体中的大规模处理设备，需要庞大的初始成本。再加上，在使得药液渗透于抗蚀剂膜，并进行改质的方法中，需要药液成本、为将此渗透而进行的气体化所产生的能量成本、用于废液处理的成本等，运行成本也会增加。另外，为了去除附着在对象物上的药液而进行的后工序也需要追加，因此有时会导致工序时间(产距时间)的延长。进一步，已形成图案的构造物，若是由易受到用于回流变形等药液影响的材料而形成的情况下，这样的技术有不能适用的情形。

本技术为基于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种在抑制成本增加的同时，可以减少抗蚀剂膜等有机树脂膜残存的有机树脂膜的剥离方法。另外，其目的还在于，提供一种在抑制成本增加的同时，减少不良发生的半导体装置的制造方法。

解决问题的手段

(1)本说明书公开的技术的一实施方式是提供一种有机树脂膜的去除方法，其包含光照射工序，向在构造物上被赋予的有机树脂膜，照射特定波长区域的光；剥离工序，在所述光照射工序后，从所述构造物剥离所述有机树脂膜。

(2)另外，本说明书公开的技术的某实施方式是提供一种有机树脂膜的去除方法，其除了所述(1)的构成之外，所述有机树脂膜还包含感光剂的感光性树脂。

(3)另外，本说明书公开的技术的某实施方式是提供一种有机树脂膜的去除方法，其除了所述(1)或(2)的构成之外，所述特定波长区域的光是紫外区域的光。

(4)另外，本说明书公开的技术的某实施方式是提供一种有机树脂膜的去除方法，其除了所述(1)至(3)中任一个构成之外，所述特定波长区域的光是在其波长分布中，在多个波长区域包含峰值的光。

(5)另外，本说明书公开的技术的某实施方式是提供一种有机树脂膜的去除方法，其除了所述(1)至(4)中任一个构成之外，所述构成物设置在支撑基材上，所述光照射工序以及所述剥离工序通过连续搬送所述支撑基材，而能连贯进行。

(6)另外，本说明书公开的技术的某实施方式是提供一种半导体装置的制造方法，其包含所述(1)至(5)中任一个所述的有机树脂膜的去除方法。

发明效果