[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202010475521.8 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111653668A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 柯雨馨;戴亮亮;许奕川;王惠群 | 申请(专利权)人: | 阳光中科(福建)能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48;H01L21/687 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 徐小淇 |
地址: | 362300 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池,涉及太阳能电池相关技术领域,从下至上依次包括导电基层、前驱体溶液、3D钙钛矿薄膜、空穴传输层和电子传输层。一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:步骤A:导电基层、步骤B:前驱体溶液、步骤C:3D钙钛矿薄膜、步骤D:空穴传输层、步骤E:电子传输层和步骤F:钙钛矿太阳能电池。本发明通过使用了HCl溶液和Zn粉对导电玻璃层进行界面修饰,与旋涂在导电玻璃层上的钙钛矿表面相结合,起到了提高导电玻璃功函数的作用,可使电子从钙钛矿激发后难以回传,从而降低了载流子的复合率,在钙钛矿中加入CdS更加有助于电子传输,所以能够提高电流密度,从而提高电池效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池相关技术领域,特别涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池简称PSCs,是一种高效低成本的新型有机无机复合薄膜太阳能电池。它主要由透明导电基板(FTO或ITO)、电子提取层、有机无机复合钙钛矿(ABX3,A=CH3NH3,NH2CH=NH2,B=Pb,Sn,X=I,Br,Cl)、空穴传输层和金属背电极组成。
目前,虽然钙钛矿自身的电子传输性能非常好,但是在界面处,电子的传输效率通常依赖于钙钛矿在相邻膜层界面上的覆盖情况。但通过溶液法制备的钙钛矿覆盖情况通常很不理想,造成界面处电池内部电子的回传。这种电子的回传会导致光照下电池的开路电压以及填充因子降低,电子不能有效传出,严重影响了电池的光电转换效率,因此,提出一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法来解决上述问题很有必要。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,解决了背景技术上述所提出的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种钙钛矿太阳能电池,从下至上依次包括导电基层、前驱体溶液、3D钙钛矿薄膜、空穴传输层和电子传输层。
一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
步骤A:导电基层:用聚酰亚胺胶带将FTO导电基板需要保护的区域粘住,再将Zn粉均匀涂于需要刻蚀的FTO表面,将HCl溶液滴在FTO上的Zn粉上,立即发生反应;待反应完成后,擦拭刻蚀区域,将表面未反应的溶液擦去,然后用洗洁精清洗,接着分别用去离子水、乙醇、丙酮、异丙醇冲洗,氮气吹干后使用UVO处理15-20min;
步骤B:前驱体溶液:向DMF中加入CH3NH3I粉体和PbI2粉体,待搅拌均后再加入CdCl2粉体和硫脲粉体,搅拌均匀即得掺有CdS的钙钛矿前驱体溶液;
步骤C:3D钙钛矿薄膜:取60μL前驱体溶液,滴在SnO2+FTO基底上,进行旋涂,旋涂的参数设置为先1000RPM,5s,之后是4000RPM,50s,且在第二个旋涂过程结束前30s,将250μL氯苯溶液滴在上面,待旋涂结束后,将其放在80-100℃热板上加热40min,加热完毕冷却至室温即得3D有机-无机钙钛矿层;
步骤D:空穴传输层:在空气气氛下,配制浓度为72.3mg/mL的 Spiro-OMeTAD的氯苯溶液,加入三种添加剂:分别为520mg/mL锂盐的乙腈溶液、4-叔丁基吡啶和300mg/mL钴盐的乙腈溶液;
步骤E:电子传输层:电子传输层的材质为PCBM、PC71BM、或C60;
步骤F:钙钛矿太阳能电池:先将导电基板放置到匀胶机上以每分钟 3000-6500转涂匀前驱体溶液10-50秒,然后将3D钙钛矿薄膜放置到前驱体溶液的顶部,随后将Spiro-OMeTAD溶液滴加到步制备好的冷却后的钙钛矿层上,以每分钟1000~2000转涂匀10-30秒,最后将电子传输层放置到空穴传输层上,即可制得钙钛矿太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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