[发明专利]一种硅异质结SHJ太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结SHJ太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、以n型单晶硅作为衬底，利用碱溶液的各向异性腐蚀功能进行制绒，制作具有减反射功能的表面金字塔结构，经过SC1和SC2进行清洗，腐蚀去掉表面氧化层，得到清洁的表面；

B、利用PECVD在n型单晶硅衬底的一面制作第一本征非晶硅N型掺杂非晶硅叠层，在衬底的第二面制作第二本征非晶硅和P型掺杂非晶硅叠层，第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层的厚度分别为4-10nm，N型和P型掺杂非晶硅叠层的厚度分别为5-20nm；

C、分别在N型和P型掺杂非晶硅叠层分别沉积第一TCO薄膜层和第二TCO薄膜层，第一TCO薄膜层和第二TCO薄膜层的电子浓度在5x10¹⁹cm^-3至5x10²⁰cm^-3之间，电阻率在1x10^-4至8x10^-4Ω·cm之间，迁移率大于30 cm²/Vs，形成SHJ电池的第一受光面和第二受光面，在400-1100 nm波长范围的光学透过率大于88%；

D、利用丝网印刷制作金属栅线电极，第一受光面和第二受光面的第一金属栅线电极和第二金属栅线电极均由一组多个平行的金属细栅线和边框线组成，金属细栅线和边框线组成的图形四个边角分别设置有预留定位的Mark点，采用树脂型低温固化银浆，印刷后栅线平均宽度为20-100μm，在100-200℃条件下干燥1-20min，紧接着在150-250℃条件下固化5-60min；

E、依靠定位mark点，采用丝网印刷技术和低温导电浆料，在电池端部制备多条垂直于金属细栅线的焊带定位线，或垂直于细栅线方向制备主栅和防断栅线，焊带定位线或主栅线和防断栅线印制完成后在100-200℃条件下干燥1-20min，紧接着在150-250℃条件下固化5-60min，从而形成无主删硅异质结SHJ太阳能电池或依靠Mark点进行图形精确定位，制备成所需电极图形的硅异质结SHJ太阳能电池，所需电极图形包括5BB、9BB或12BB。

2.根据权利要求1所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤D完成后，将低温细焊带直接垂直压在SHJ第一受光面和第二受光面，然后进行组件的加热层压，利用层压温度，使低温焊带涂层熔融，焊带直接粘合在金属细栅线上，完成组件的制备，焊带涂层为锡铅铋、锡铋银或锡铋铟低温合金。

3.根据权利要求1所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤E完成后，在主栅线位置，采用焊带焊接的方式对异质结太阳电池进行串并联接，然后进行组件的加热层压，完成组件制备。

4.如权利要求1-3任一项所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池的制备方法制得的硅异质结SHJ太阳能电池，太阳电池受光面分为第一受光面和第二受光面，第一受光面包括依次设置在单晶硅衬底一侧的第一本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅叠层、第一TCO薄膜层以及第一金属栅线电极，第二受光面包括依次设置在单晶硅衬底另一侧的第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅叠层、第二TCO薄膜层以及第二金属栅线电极，其特征在于：第一金属栅线电极和第二金属栅线电极均分别包括一组多个平行的金属细栅线和边框线，金属细栅线和/或边框线的宽度为20-100μm，金属细栅线间距为0.5-2.5mm，金属细栅线和边框线组成的图形四个边角分别设置有定位Mark点，从而形成无主删硅异质结SHJ太阳能电池或依靠Mark点进行图形精确定位，制备成所需电极图形的硅异质结SHJ太阳能电池，所需电极图形包括5BB、9BB或12BB。

5.根据权利要求4所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池，其特征在于：Mark点为圆形、长方形、正方形或圆形，圆形Mark点的直径为0.1-1mm，长方形和正方形Mark点的边长为0.1-1mm。

6.根据权利要求4所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池，其特征在于：在第一受光面和第二受光面的端部分别设置有垂直于金属细栅线的焊带定位线。

7.根据权利要求4所述的一种硅异质结SHJ太阳能电池，其特征在于：第一受光面和第二受光面上垂直于细栅线方向设置有主栅线和防断栅线。