[发明专利]功率器件的制作方法

说明书

本申请公开了一种功率器件的制作方法，涉及半导体制造领域，该功率器件的制作方法包括在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；形成正面金属层；对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；在所述衬底的背面形成集电区；在所述衬底的背面覆膜；利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；去除贴附所述衬底背面的膜；在所述衬底的背面形成金属层；解决了利用化学镀工艺增加正面金属厚度和硬度，容易造成晶圆碎片的问题；达到了改善化学镀后金属脱落情况，优化IGBT制作工艺与化学镀工艺的结合效果的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种功率器件的制作方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)器件是新能源电力电子产品中的核心器件，随着近年来更加广泛的推广，应用产品不仅包括白色家电、工业变频、焊机等传统产品，还包括新能源汽车等高端产品。

目前IGBT正朝向高压大电流的方向发展，IGBT的芯片工艺和封装都面临着全新的挑战。对于大电流IGBT芯片、模块而言，实现整体模块的散热已经成为研究重点。在对IGBT芯片进行封装时，引线键合使用的焊接工艺已经从传统的铝线焊接发展为铜片焊接，这对IGBT正面金属的厚度和硬度的要求更高。

然而，采用化镀工艺增加IGBT正面金属的厚度和硬度时，容易造成晶圆碎片。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种功率器件的制作方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种功率器件的制作方法，该方法包括：

在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；

形成正面金属层；

对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；

在所述衬底的背面形成集电区；

在所述衬底的背面覆膜；

利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；

去除贴附所述衬底背面的膜；

在所述衬底的背面形成金属层。

可选的，贴附在所述衬底背面的膜为耐高温和耐强酸强碱材料。

可选的，所述利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属，包括：

利用化学镀工艺在所述正面金属层上镀上所述目标金属。

可选的，所述目标金属包括两层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为金。

可选的，所述目标金属包括三层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为钯，第三层目标金属为金。

可选的，在所述目标金属层中，镍的厚度范围为0.5um至20um。

可选的，在所述目标金属层中，金的厚度范围为500A至5000A。

可选的，在所述目标金属层中，钯的厚度范围为500A至5000A。

可选的，所述在衬底中形成功率器件的单元结构，包括：

在所述衬底内形成所述IGBT的漂移区；

在所述漂移区内形成所述IGBT的基极区；

形成所述IGBT的栅极结构；

在IGBT的基极区内形成源区。

本申请技术方案，至少包括如下优点：