[发明专利]H桥集成激光驱动器在审
| 申请号： | 202010475792.3 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112019176A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | K·V·阿卜杜勒海林;M·Q·勒 | 申请（专利权）人： | 上海橙科微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H01S5/042 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 激光 驱动器 | ||
1.一种H桥集成激光驱动器，包括：
重定时器，其被配置为将低速并行数据转换为高速串行位流和高速并行位流的反相表示；
M位PMOSDAC，其被配置为接收第一缓冲位流；
N位NMOSDAC，其被配置为接收第二缓冲位流；
保护器件，其耦合在所述M位DAC与所述N位DAC之间；
第一DC电平移位预驱动器阵列，其耦合在所述重定时器和所述M位DAC之间，以用于接收所述高速并行位流和所述反相的高速并行位流；
第二DC电平移位预驱动器阵列，其耦合在所述重定时器和所述N位DAC之间，以用于接收所述高速并行位流和反相的高速并行位流；以及
阻抗匹配模块，其耦合到所述保护器件的输出端；
其中，所述第一缓冲位流与所述第二缓冲位流基本同步。
2.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述重定时器包括串行器。
3.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，M＝N。
4.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，M＝1。
5.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，信号反相发生在所述预驱动器阵列之一或两者的输入端处。
6.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，信号反相发生在所述预驱动器阵列之一或两者的输出端处。
7.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述第一缓冲位流和所述第二缓冲位流基本相同。
8.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述保护器件将VGD、VGS和VDS限制为小于所述PMOSDAC的击穿电压。
9.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述保护器件将VGD、VGS和VDS限制为小于所述NMOSDAC的击穿电压。
10.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述保护器件减小所述激光驱动器的输出端处的电容。
11.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述保护器件包括一个或多个共源共栅级。
12.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述阻抗匹配模块被配置为匹配25欧姆或50欧姆系统的阻抗。
13.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述阻抗匹配模块包括耦合在所述激光驱动器的差分端子两端的电阻器。
14.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述阻抗匹配模块包括耦合在芯片上阻抗和所述驱动器的输出端端子之间的T形线圈，其中，所述T形线圈包括连接到所述保护器件的输出端的中心抽头。
15.根据权利要求1所述的激光驱动器，其中，所述阻抗匹配模块包括在所述驱动器的差分端子之间的中心抽头、耦合在每个差分端子和所述中心抽头之间的电阻器、以及耦合到所述中心抽头的AC接地电容器。
16.根据权利要求15所述的激光驱动器，还包括T形线圈或电感器，所述T形线圈或所述电感器可以耦合在每个电阻器和所述驱动器输出端之间，以改善高频阻抗匹配和输出带宽。
17.根据权利要求1所述的激光驱动器，被形成为集成电路芯片上的系统。
18.根据权利要求1所述的激光驱动器，被实施为用于DML或EML的驱动器。
19.根据权利要求18所述的激光驱动器，被实施为用于NMOS偏置电路的差分驱动器。
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