[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202010475873.3 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112053970A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 天野嘉文;相浦一博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
本发明提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的基板处理装置。本公开的一形态的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围基板旋转部的外周的方式设置，使气体和液滴分离。排气路径以包围气液分离部的外周的方式设置，对由气液分离部分离后的气体进行排气。
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置。
背景技术
以往，公知有利用处理液蚀刻半导体晶圆(以下，也称呼为晶圆。)等基板的周缘部的技术(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2009-295803号公报
发明内容
本公开提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的技术。
本公开的一技术方案的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部、以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围所述基板旋转部的外周的方式设置，使气体和液滴分离。排气路径以包围所述气液分离部的外周的方式设置，对由所述气液分离部分离后的气体进行排气。
根据本公开，能够精度良好地蚀刻基板的周缘部。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图2是表示第1实施方式的基板处理装置的结构的示意图。
图3是表示第1实施方式的回收部的结构的剖视图。
图4是表示第1实施方式的回收部中的全压的评价部位的图。
图5是表示第1实施方式的回收部中的全压的推移的图。
图6是表示第1实施方式的变形例1的回收部的结构的剖视图。
图7是表示第1实施方式的变形例2的回收部的结构的剖视图。
图8是表示第2实施方式的回收部的结构的剖视图。
图9是表示第2实施方式的回收部中的全压的推移的图。
图10是表示第2实施方式的回收部中的全压的推移的图。
图11是表示第3实施方式的回收部的结构的剖视图。
图12是表示第1实施方式的排气管道的结构的立体图。
图13是表示第1实施方式的排气管道的结构的立体图。
图14是表示第1实施方式的变形例3的排气管道的结构的立体图。
图15是表示第1实施方式的变形例3的排气管道的结构的立体图。
图16是表示第1实施方式的变形例4的排气管道的结构的立体图。
图17是表示第1实施方式的变形例4的排气管道的结构的立体图。
图18是表示第1实施方式的变形例5的排气管道的结构的立体图。
图19是表示第1实施方式的变形例5的排气管道的结构的立体图。
具体实施方式
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