[发明专利]一种范德华介电材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010475921.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111621746B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 翟天佑;刘开朗;金宝;李会巧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;H01L29/51;H01L29/778 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 范德华介电 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种范德华介电材料的应用，其特征在于，包括如下步骤：
以无机分子晶体Sb2O3粉末作为蒸发源，采用热蒸镀的方法，将Sb2O3直接蒸镀在MoS2器件上，热蒸镀温度为300℃～500℃，使无机分子晶体发生升华，同时保持其完整的分子结构，从而得到与MoS2器件结合的范德华薄膜，该范德华薄膜表面无悬挂键，将结合了范德华薄膜的MoS2器件应用于场效应晶体管。
2.如权利要求1所述的范德华介电材料的应用，其特征在于，进行热蒸镀时，真空度为10-6 torr。
3.如权利要求1所述的范德华介电材料的应用，其特征在于，采用真空镀膜机进行热蒸镀，并用晶振片准确控制蒸镀速率。
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