[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010475964.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309981A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;潘冠廷;林志昌;朱熙甯;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，该半导体结构包括一半导体基板，其包括被一鳍片凹蚀区分离的多个鳍片，该方法包括：
利用一第一材料填充该鳍片凹蚀区，以形成一填充半导体结构；
于该填充半导体结构的一第一部分之上形成一顶层；
从该填充半导体结构的一第二部分蚀刻出一源极凹蚀区与一漏极凹蚀区；
从该源极凹蚀区与该漏极凹蚀区所露出的该第一部分的一前侧与一后侧侧壁横向地蚀刻一部分的该第一材料，以形成一前侧与一后侧侧壁沟槽；
沉积一第二材料至该前侧与该后侧侧壁沟槽之中；
于该源极凹蚀区中形成一源极区，且于该漏极凹蚀区中形成一漏极区；
移除该顶层，以露出该第一部分的一顶表面；
移除该第一材料，且部分地重新露出该鳍片凹蚀区；
沉积一栅极介电层，其顺应于该部分地重新露出的鳍片凹蚀区的一表面；以及
沉积一导电材料至该鳍片凹蚀区的一剩余部分之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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