[发明专利]一种非线性晶体防潮解的方法在审
| 申请号： | 202010476227.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111636099A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 校金涛;陈基平 | 申请（专利权）人： | 福建科彤光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/22;B28D5/00;H01S3/109 |
| 代理公司： | 福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙) 35226 | 代理人： | 吴德兰 |
| 地址： | 350014 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非线性 晶体 潮解 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)、将非线性倍频晶体进行θ0+(θ1-θ2)＝θcut＝59～60°布角切割；
2)、在角度切割非线性倍频晶体的通光面镀制与基底材料折射率接近的低折射率膜料膜层。
2.根据权利要求1所述的一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于：将非线性倍频晶体进行θ0+(θ1-θ2)＝θcut＝59.38°布角切割。
3.根据权利要求2所述的一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于：所述非线性倍频晶体包括LBO、BBO和KDP晶体。
4.根据权利要求3所述的一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于：所述LBO、所述BBO和所述KDP的表面膜层选择与其折射率相同的膜层。
5.根据权利要求4所述的一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于：所述低折射率膜料膜层为MgF2膜层，针对532nm波长，MgF2折射率为n1＝1.38，所述低折射率膜料膜层的厚度低于200nm。
6.根据权利要求4所述的一种非线性晶体防潮解的方法，其特征在于：所述低折射率膜料膜层为SiO2膜层，针对532nm波长，SiO2折射率为n1＝1.56，所述低折射率膜料膜层的厚度低于200nm。
7.一种防潮解的非线性晶体，该防潮解的非线性晶体采用权利要求1～6任一权利要求的方法制备而成。
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