[发明专利]一种半导体芯片、多工器及通信设备有效
申请号: | 202010476283.2 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111697938B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 蔡华林;庞慰 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/17;H01L23/48;H01L25/16 |
代理公司: | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人: | 姜劲;谷惠敏 |
地址: | 300457 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 多工器 通信 设备 | ||
1.一种半导体芯片,包括上晶圆和下晶圆,下晶圆底部连接封装基板,上晶圆和下晶圆之间具有密封环,其特征在于,
密封环与下晶圆之间设有密封环隔离层,
或者,
密封环的内侧和外侧分别设有密封环内隔离层和密封环外隔离层,其中,密封环内隔离层与密封环外隔离层之间通过导体连接;
上晶圆设置有谐振器;所述密封环隔离层、密封环内隔离层、密封环外隔离层通过接地孔与接地管脚连接,用于避免或减小密封环与无源器件之间的耦合,所述无源器件位于封装基板表面或内部,或位于下晶圆下侧。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,所述导体位于密封环与下晶圆之间。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,下晶圆的上表面还设有谐振器隔离层,谐振器隔离层与密封环隔离层或密封环内隔离层为一体结构;
该一体结构中,与下晶圆中的过孔相对的位置处设有通孔,用于上晶圆与下晶圆之间的对接管脚经由该通孔连接到下晶圆下侧的接地管脚。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,下晶圆中设有至少一个接地孔,接地孔内设有导线,谐振器隔离层、密封环隔离层、密封环内隔离层或密封环外隔离层通过接地孔内的导线与至少一个接地管脚连接。
5.根据权利要求3所述的半导体芯片,其特征在于,封装基板上包括多个叠加的上晶圆和下晶圆,多个叠加的上晶圆和下晶圆中包括多个接地孔,其中,多个接地孔向封装基板的垂直投影位于无源器件的外围。
6.根据权利要求3、4或5所述的半导体芯片,其特征在于,所述谐振器为声波谐振器。
7.一种多工器,包括至少两组叠加单元,叠加单元包括上晶圆、中晶圆和下晶圆,下晶圆底部连接封装基板,上晶圆和中晶圆之间、中晶圆和下晶圆之间分别具有密封环,其特征在于,
密封环和中晶圆之间和/或密封环和下晶圆之间设有密封环隔离层,
或者,
位于中晶圆和/或下晶圆的密封环的内侧和外侧分别设有密封环内隔离层和密封环外隔离层,其中,密封环内隔离层与密封环外隔离层之间通过导体连接;
上晶圆和中晶圆设置有谐振器;所述密封环隔离层、密封环内隔离层、密封环外隔离层通过接地孔与接地管脚连接,用于避免或减小密封环与无源器件之间的耦合,所述无源器件位于封装基板表面或内部,或位于下晶圆下侧。
8.根据权利要求7所述的多工器,其特征在于,所述导体位于密封环与其所在的中晶圆或下晶圆之间。
9.根据权利要求7所述的多工器,其特征在于,中晶圆和/或下晶圆的上表面还设有谐振器隔离层,谐振器隔离层与同层的密封环隔离层或密封环内隔离层为一体结构;
该一体结构中,与下晶圆中的过孔相对的位置处设有通孔,用于上晶圆与下晶圆之间的对接管脚经由该通孔连接到下晶圆下侧的接地管脚。
10.根据权利要求7所述的多工器,其特征在于,中晶圆和/或下晶圆中设有至少一个接地孔,接地孔内设有导线,谐振器隔离层、密封环隔离层、密封环内隔离层或密封环外隔离层通过接地孔内的导线与至少一个接地管脚连接。
11.根据权利要求10所述的多工器,其特征在于,多个叠加单元中包括多个接地孔,多个接地孔向封装基板的垂直投影位于封装基板中的无源器件的外围。
12.根据权利要求9、10或11所述的多工器,其特征在于,所述谐振器为声波谐振器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺思(天津)微系统有限责任公司,未经诺思(天津)微系统有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010476283.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。