[发明专利]一种形貌参数测量方法、装置及测量设备有效

专利信息
申请号: 202010476425.5 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111637849B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 张晓雷;施耀明;叶星辰;张厚道 申请(专利权)人: 上海精测半导体技术有限公司
主分类号: G01B11/24 分类号: G01B11/24
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201703 上海市青浦区赵巷*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 形貌 参数 测量方法 装置 测量 设备
【权利要求书】:

1.一种形貌参数测量方法,其特征在于,包括:

根据光栅模型的理论光谱建立理论光谱数据库,其中,所述光栅模型包括非重复结构层和连续重复结构层,所述理论光谱根据所述光栅模型上方的入射层的反射特性矩阵计算得到,且所述入射层的反射特性矩阵根据所述非重复结构层的反射特性矩阵和所述连续重复结构层的散射特性矩阵计算得到;

基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法计算所述光栅模型中所述非重复结构层的反射特性矩阵;

基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法计算所述光栅模型中所述连续重复结构层的散射特性矩阵;

根据所述非重复结构层的反射特性矩阵和所述连续重复结构层的散射特性矩阵计算所述入射层的反射特性矩阵;

根据所述入射层的反射特性矩阵计算所述光栅模型的理论光谱;

在所述理论光谱数据库中查找与待测量样品的测量光谱匹配的理论光谱;

根据所述理论光谱确定所述待测量样品的形貌参数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法计算所述光栅模型中非重复结构层的反射特性矩阵,包括:

从所述非重复结构层的下层开始,基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法迭代计算相邻的上一层的反射特性矩阵,直至得到所述非重复结构层中最上层的反射特性矩阵,其中,所述非重复结构层的下层为透射层或者为所述连续重复结构层整体。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述连续重复结构层中包括多个连续的重复单元;

所述基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法计算所述光栅模型中连续重复结构层的散射特性矩阵,包括:

按照设定分解粒度对所述连续重复结构层进行分解,得到多个分组;

基于四分之一S矩阵算法或S矩阵算法计算所述连续重复结构层中的一个重复单元的散射特性矩阵;

根据所述一个重复单元的散射特性矩阵分别计算各个分组的散射特性矩阵;

根据散射特性矩阵合并公式将各个分组的散射特性矩阵合并,得到所述连续重复结构层的散射特性矩阵。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述设定分解粒度为{p|p<n,n为正整数,p为正整数}∪{d|d=n·2m,n为正整数,m=0,1,2……,d为正整数};

所述按照设定分解粒度对所述连续重复结构层进行分解,包括:

将所述连续重复结构层分解成多个分组,每个分组中包含的重复单元的个数均属于{p|p<n,n为正整数,p为正整数}∪{d|d=n·2m,n为正整数,m=0,1,2……,d为正整数}。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述按照设定分解粒度对所述连续重复结构层进行分解,得到多个分组,包括:

1)获取所述连续重复结构层中包含的所述重复单元的个数x;

2)确定小于等于x的最大的所述设定分解粒度形成的集合中的元素值;

3)计算x与所述元素值的差值x’;

4)对x’重复利用步骤2)和3)的方法,直至差值为0;

5)根据所述元素值对所述连续重复结构层进行分解,得到多个分组,使得每个分组中所述重复单元的个数为所述元素值。

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