[发明专利]一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺有效
申请号: | 202010476599.1 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111669141B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人: | 见闻录(浙江)半导体有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02 |
代理公司: | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人: | 陈远洋 |
地址: | 313000 浙江省湖州市康*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 电极 结构 制作 工艺 | ||
1.一种体声波谐振器的电极结构,包括依次层叠形成的底电极层、压电层和顶电极层,其特征在于,在所述压电层上形成有包覆所述顶电极层的至少一个侧边的声波反射挡沿,所述声波反射挡沿以紧贴的方式从所述顶电极层的侧边延伸到所述顶电极层的顶部边缘形成质量负载层,所述声波反射挡沿的外侧边缘在所述压电层上的投影区域完全位于所述底电极层的区域范围内。
2.根据权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述声波反射挡沿包括交替层叠的至少一组低声阻抗反射挡沿和高声阻抗反射挡沿的组合。
3.根据权利要求2所述的电极结构,其特征在于,最靠近所述顶电极层的边缘的反射挡沿为低声阻抗反射挡沿。
4.根据权利要求2所述的电极结构,其特征在于,所述低声阻抗反射挡沿和所述高声阻抗反射挡沿均由金属材料形成。
5.根据权利要求4所述的电极结构,其特征在于,所述声波反射挡沿在当前体声波谐振器的所述压电层上向外延伸形成电极连接部。
6.根据权利要求2所述的电极结构,其特征在于,所述低声阻抗反射挡沿由介质材料形成,并且所述高声阻抗反射挡沿由金属材料形成。
7.根据权利要求6所述的电极结构,其特征在于,所述声波反射挡沿的一端的所述高声阻抗反射挡沿的一部分延伸到当前体声波谐振器的所述顶电极层的顶部并与所述顶电极层电连接形成第一电极连接部,所述声波反射挡沿的另一端在当前体声波谐振器的所述压电层上向外延伸形成第二电极连接部。
8.根据权利要求7所述的电极结构,其特征在于,当所述声波反射挡沿在所述顶电极层的顶部边缘形成质量负载层,所述第一电极连接部在所述顶电极层的顶部与所述质量负载层形成台阶状。
9.一种体声波谐振器,包括如权利要求1-8中任一项所述的电极结构,其特征在于,所述体声波谐振器还包括具有空腔的衬底,所述电极结构形成在所述衬底上,所述底电极层周围形成有毗邻的阻挡层和介质层,所述阻挡层和所述介质层的表面与所述底电极层的表面保持平坦。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器还包括释放孔,所述释放孔在不穿过所述底电极层和顶电极层的情况下延伸到所述空腔内,在所述释放孔中形成覆盖所述释放孔的侧壁的保护层。
11.根据权利要求9所述的体声波谐振器,其特征在于,在所述底电极层和所述衬底之间形成有支撑层。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器,其特征在于,所述底电极层在所述衬底上的投影区域完全位于所述空腔内。
13.一种体声波谐振器的电极结构的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1,对由底电极层、压电层和顶电极层依次层叠形成的谐振功能层中的所述顶电极层进行刻蚀以暴露出部分所述压电层;
S2,在所述压电层上制作包覆所述顶电极层的至少一个侧边的声波反射挡沿,并且同时在所述顶电极层上制作质量负载层,所述质量负载层为所述声波反射挡沿以紧贴的方式从所述顶电极层的侧边延伸到所述顶电极层的顶部边缘所形成,所述声波反射挡沿的外侧边缘在所述压电层上的投影区域完全位于所述底电极层的区域范围内。
14.根据权利要求13所述的电极结构的制作工艺,其特征在于,所述声波反射挡沿包括交替层叠的至少一组低声阻抗反射挡沿和高声阻抗反射挡沿的组合。
15.根据权利要求14所述的电极结构的制作工艺,其特征在于,最靠近所述顶电极层的边缘的反射挡沿为低声阻抗反射挡沿。
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