[发明专利]温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法在审
申请号: | 202010476790.6 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN112053971A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 小泉克之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 调整 装置 处理 以及 控制 载置台 方法 | ||
本发明提供温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法。该温度调整装置具备:载置台,其具有多个加热部和多个温度检测部,所述多个加热部设置于在径向和周向上分别具有至少两个以上的单独区段的区段区域内的每个所述单独区段,所述多个温度检测部设置于多个所述单独区段,且数量比所述单独区段的数量少;以及控制装置,其根据所述温度检测部检测出的温度来控制在第一单独区段和第二单独区段设置的所述加热部,所述第一单独区段是设置有所述温度检测部的单独区段,所述第二单独区段是与所述第一单独区段同步地进行控制且未设置所述温度检测部的单独区段,其中,所述控制装置具有切换与所述第一单独区段同步地进行控制的第二单独区段的切换部。
技术领域
本公开涉及一种温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法。
背景技术
例如,在专利文献1中公开了一种将构成晶圆的载置台的热板分割为多个区域的载置台。另外,在专利文献1中公开了在该载置台的热板的各分割区域设置有加热器用的温度传感器。
专利文献1:日本特开2018-125335号公报
发明内容
本公开提供一种能够减少进行载置台的温度控制时的计算负荷的温度调整装置、基板处理装置以及控制载置台的控制方法。
本公开的温度调整装置具备:载置台,其具有多个加热部和多个温度检测部,所述多个加热部设置于在径向和周向上分别具有至少两个以上的单独区段的区段区域内的每个所述单独区段,所述多个温度检测部设置于多个所述单独区段,并且所述多个温度检测部的数量比所述单独区段的数量少;以及控制装置,其根据所述温度检测部检测出的温度,来控制在第一单独区段设置的所述加热部以及在第二单独区段设置的所述加热部,所述第一单独区段是设置有所述温度检测部的单独区段,所述第二单独区段是与该第一单独区段同步地进行控制且未设置所述温度检测部的单独区段,其中,所述控制装置具有切换部,该切换部切换与所述第一单独区段同步地进行控制的第二单独区段。
根据本公开,能够在进行载置台的温度控制时减少计算负荷。
附图说明
图1是具有本公开的第一实施方式所涉及的载置台的基板处理装置的整体结构图。
图2是说明本公开的第一实施方式所涉及的载置台的区段的定义的图。
图3是说明本公开的第一实施方式所涉及的温度调整装置的结构和动作的图。
图4是示出本公开的第一实施方式所涉及的载置台的区段的温度控制状态的一例的图。
图5是说明本公开的第二实施方式所涉及的温度调整装置的结构和动作的图。
图6是说明本公开的第三实施方式所涉及的温度调整装置的结构和动作的图。
图7是说明本公开的第四实施方式所涉及的温度调整装置的结构和动作的图。
图8是示出本公开的实施方式所涉及的载置台的第一变形例的区段的温度控制状态的一例的图。
图9是示出本公开的实施方式所涉及的载置台的第二变形例的区段的温度控制状态的一例的图。
图10是示出本公开的实施方式所涉及的载置台的第三变形例的区段的温度控制状态的一例的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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