[发明专利]一种压电驱动器堆栈的制备方法

权利要求书

1.一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于，包括：

压合：将多个芯片式压电驱动器单元堆叠于压合夹具中，采用油压工艺将多个所述芯片式压电驱动器单元压合成型为压电驱动器堆栈生坯，采用等静压成型工艺对所述压电驱动器堆栈生坯进行加固；

刻槽：分别在所述压电驱动器堆栈生坯的一对内电极引出侧面上的相邻两个所述芯片式压电驱动器单元的连接位置处进行刻槽；

排胶：将刻槽后的所述压电驱动器堆栈生坯置于排胶炉中进行排胶；

烧结：将排胶后的所述压电驱动器堆栈生坯置于烧结炉中进行烧结得到压电驱动器堆栈体；

被银：在所述压电驱动器堆栈体的一对内电极引出侧面分别进行被银处理以形成外电极银层；

极化：将被银后的所述压电驱动器堆栈体置于硅油中极化；

焊接电极片与引线：在所述压电驱动器堆栈体的两个所述外电极银层上分别焊接电极片，在各所述电极片上焊接引线。

2.如权利要求1所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：所述压合夹具包括第一基座和第二基座，所述第一基座上沿该第一基座的厚度方向开设有用于容置多个所述芯片式压电驱动器单元的开孔；所述第二基座包括压板和用于伸入所述开孔中的压块，所述压块安装于所述压板上。

3.如权利要求2所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：所述压块的长度与所述压电驱动器堆栈生坯的长度之和大于所述开孔的深度。

4.如权利要求1所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于，于所述排胶步骤中，排胶升温制度为：设定初始温度范围为60℃-80℃，加热20h-30h，温度上升至200℃-250℃保温；继续加热25h-35h，温度上升至300℃-350℃保温；继续加热15h-25h，温度上升至400℃-450℃保温；继续加热2h-10h至峰值温度600℃保温。

5.如权利要求1所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于，于所述烧结步骤中，烧结温度为1120±30℃/3～4h。

6.如权利要求1-5任一项所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：各所述芯片式压电驱动器单元为由压电陶瓷材料与电极浆料共烧制成的叠层结构。

7.如权利要求1-5任一项所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：各所述电极片包括分别与各所述芯片式压电驱动器单元上相应所述外电极银层连接的导电片和连接相邻两个所述导电片的导电连接片。

8.如权利要求7所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：各所述引线的一端与对应所述电极片的一个所述导电片连接。

9.如权利要求7所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：各所述导电片为圆环。

10.如权利要求7所述的一种压电驱动器堆栈的制备方法，其特征在于：所述导电片的宽度大于所述导电连接片的宽度。