[发明专利]一种片上微型电子源及制造方法、电子源系统、电子设备在审
申请号: | 202010477613.X | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN113745075A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 魏贤龙;詹芳媛;李志伟 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01J3/02 | 分类号: | H01J3/02;H01J9/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 电子 制造 方法 系统 电子设备 | ||
1.一种片上微型电子源,其特征在于,包括:
衬底;
所述衬底上的驱动电极对,所述驱动电极对存在间隙;
所述间隙中形成有导体盘和电子隧穿结,所述电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成,所述导体盘与所述电子隧穿结的导电区域接触,所述驱动电极对用于驱动所述电子隧穿结发出电子束。
2.根据权利要求1所述的微型电子源,其特征在于,所述导体盘形成于所述阻变材料的上表面或内部。
3.根据权利要求1所述的微型电子源,其特征在于,所述导体盘为一个或多个。
4.根据权利要求1所述的微型电子源,其特征在于,所述微型电子源还包括:
所述衬底上方固定的聚焦电极,所述聚焦电极上形成有纵向贯穿所述聚焦电极的聚焦通道,用于在所述电子束通过时减小所述电子束的束斑尺寸。
5.根据权利要求4所述的微型电子源,其特征在于,所述聚焦电极为导体结构;或所述聚焦电极为绝缘结构,所述绝缘结构的上表面和/或下表面形成有导电层。
6.根据权利要求4所述的微型电子源,其特征在于,所述聚焦电极和所述衬底之间形成有第一支撑部件,所述第一支撑部件为绝缘部件。
7.根据权利要求6所述的微型电子源,其特征在于,所述聚焦电极为被导电层覆盖的绝缘结构时,所述绝缘结构和所述第一支撑部件为一体化结构。
8.根据权利要求6所述的微型电子源,其特征在于,所述第一支撑部件为位于所述驱动电极对的外侧的侧墙,所述驱动电极对具有导电端延伸至所述第一支撑部件的外侧。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的微型电子源,其特征在于,还包括:
所述衬底和所述聚焦电极之间固定的引出电极,用于为所述电子束提供电子加速电场;所述引出电极上形成有纵向贯穿所述引出电极的引出通道。
10.根据权利要求9所述的微型电子源,其特征在于,所述引出电极为导体结构;或所述引出电极为绝缘结构,所述绝缘结构的上表面和/或下表面形成有导电层。
11.根据权利要求10所述的微型电子源,其特征在于,所述引出电极和所述衬底之间形成有第二支撑部件,所述第二支撑部件为绝缘部件。
12.根据权利要求11所述的微型电子源,其特征在于,所述引出电极为被导电层覆盖的绝缘结构时,所述绝缘结构和所述第二支撑结构为一体化结构。
13.根据权利要求11所述的微型电子源,其特征在于,所述第二支撑部件为位于所述驱动电极对的外侧的侧墙,所述驱动电极对具有导电端延伸至所述第二支撑部件的外侧。
14.根据权利要求1-8任意一项所述的微型电子源,其特征在于,所述驱动电极对与所述衬底接触,所述阻变材料层形成于所述驱动电极对之间。
15.根据权利要求1-8任意一项所述的微型电子源,其特征在于,所述驱动电极对和所述衬底之间形成有阻变材料层,在所述驱动电极对的间隙正对的阻变材料层中形成有电子隧穿结。
16.根据权利要求1-8任意一项所述的微型电子源,其特征在于,所述驱动电极对包括延伸至两个区域电极之外的两个相对的指状电极,每个所述区域电极包括至少一个指状电极。
17.根据权利要求1-8任意一项所述的微型电子源,其特征在于,所述衬底下方还形成有热沉。
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