[发明专利]用于固态成像装置的像素在审

专利信息
申请号: 202010477639.4 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111599828A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 木村雅俊;王飞;王欣洋 申请(专利权)人: 长春长光辰芯光电技术有限公司(日本)
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 代理人: 高一明;郭婷
地址: 日本东京都江东*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 固态 成像 装置 像素
【权利要求书】:

1.一种用于固态成像装置的像素,其特征在于,包括:

多边形状的光电二极管,其根据从硅基板的第一表面入射的光的光量产生电荷;

至少一个传输晶体管,其形成在所述硅基板的第二表面上,并且一端连接到所述光电二极管;

浮置扩散区,其形成在所述硅基板的第二表面上,所述浮置扩散区的一端分别连接到各传输晶体管的另一端;以及

第一深沟槽隔离,其从所述硅基板的第一表面朝向所述第二表面以预定深度形成并包围所述光电二极管的周围;

遮光材料嵌入所述第一深沟槽隔离中,或者在所述第一深沟槽隔离内部形成具有光学反射功能的结构;

所述传输晶体管的栅极在至少一部分上具有从所述硅基板的第二表面朝向所述第一表面以预定深度形成的第一垂直金属栅;

所述第一垂直金属栅的尖端在与所述第一深沟槽隔离的尖端相同的平面上延伸或比所述第一深沟槽隔离的尖端更延伸到所述硅基板的第一表面侧;

所述第一垂直金属栅分别配置在比所述第一深沟槽隔离更靠近所述光电二极管侧。

2.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

每个传输栅极分别包括多个所述第一垂直金属栅,并且在多个所述第一垂直金属栅之间存在没有第一垂直金属栅的平面栅极区域。

3.根据权利要求2所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

多个所述第一垂直金属栅具有从彼此相邻的端部沿所述浮置扩散区方向延伸的延伸部。

4.根据权利要求3所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

多个所述第一垂直金属栅的彼此相邻的端部之间的距离短于所述浮置扩散区面向所述传输晶体管的边的长度。

5.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

相对于所述第一深沟槽隔离,所述第一垂直金属栅分别配置在所述浮置扩散区侧而不是所述光电二极管侧。

6.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

还包括金属栅反射板,所述金属栅反射板在所述硅基板的第二表面的绝缘膜上形成与所述光电二极管重叠的区域中。

7.根据权利要求1至6中的任何一项的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

还包括第二垂直金属栅,所述第二垂直金属栅以包围所述光电二极管、所述第一深沟槽隔离、所述传输晶体管和所述浮置扩散区的方式配置。

8.根据权利要求7所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

还包括第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离以包围所述第二垂直金属栅的方式配置。

9.根据权利要求8所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

还包括第三深沟槽隔离、第三垂直金属栅和用于在所述像素的所述浮置扩散区与相邻像素的浮置扩散区之间切换输出的开关,所述第三深沟槽隔离和所述第三垂直金属栅重叠地配置在所述开关的周围。

10.根据权利要求8所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,

所述第一深沟槽隔离和所述第二深沟槽隔离结合形成一个宽深沟槽隔离,所述一个宽深沟槽隔离的尖端和所述第一垂直金属栅的尖端以及所述第二垂直金属栅的尖端之间存在预定的空间。

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