[发明专利]用于固态成像装置的像素在审
申请号: | 202010477639.4 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111599828A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 木村雅俊;王飞;王欣洋 | 申请(专利权)人: | 长春长光辰芯光电技术有限公司(日本) |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
地址: | 日本东京都江东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 固态 成像 装置 像素 | ||
1.一种用于固态成像装置的像素,其特征在于,包括:
多边形状的光电二极管,其根据从硅基板的第一表面入射的光的光量产生电荷;
至少一个传输晶体管,其形成在所述硅基板的第二表面上,并且一端连接到所述光电二极管;
浮置扩散区,其形成在所述硅基板的第二表面上,所述浮置扩散区的一端分别连接到各传输晶体管的另一端;以及
第一深沟槽隔离,其从所述硅基板的第一表面朝向所述第二表面以预定深度形成并包围所述光电二极管的周围;
遮光材料嵌入所述第一深沟槽隔离中,或者在所述第一深沟槽隔离内部形成具有光学反射功能的结构;
所述传输晶体管的栅极在至少一部分上具有从所述硅基板的第二表面朝向所述第一表面以预定深度形成的第一垂直金属栅;
所述第一垂直金属栅的尖端在与所述第一深沟槽隔离的尖端相同的平面上延伸或比所述第一深沟槽隔离的尖端更延伸到所述硅基板的第一表面侧;
所述第一垂直金属栅分别配置在比所述第一深沟槽隔离更靠近所述光电二极管侧。
2.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
每个传输栅极分别包括多个所述第一垂直金属栅,并且在多个所述第一垂直金属栅之间存在没有第一垂直金属栅的平面栅极区域。
3.根据权利要求2所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
多个所述第一垂直金属栅具有从彼此相邻的端部沿所述浮置扩散区方向延伸的延伸部。
4.根据权利要求3所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
多个所述第一垂直金属栅的彼此相邻的端部之间的距离短于所述浮置扩散区面向所述传输晶体管的边的长度。
5.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
相对于所述第一深沟槽隔离,所述第一垂直金属栅分别配置在所述浮置扩散区侧而不是所述光电二极管侧。
6.根据权利要求1所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
还包括金属栅反射板,所述金属栅反射板在所述硅基板的第二表面的绝缘膜上形成与所述光电二极管重叠的区域中。
7.根据权利要求1至6中的任何一项的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
还包括第二垂直金属栅,所述第二垂直金属栅以包围所述光电二极管、所述第一深沟槽隔离、所述传输晶体管和所述浮置扩散区的方式配置。
8.根据权利要求7所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
还包括第二深沟槽隔离,所述第二深沟槽隔离以包围所述第二垂直金属栅的方式配置。
9.根据权利要求8所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
还包括第三深沟槽隔离、第三垂直金属栅和用于在所述像素的所述浮置扩散区与相邻像素的浮置扩散区之间切换输出的开关,所述第三深沟槽隔离和所述第三垂直金属栅重叠地配置在所述开关的周围。
10.根据权利要求8所述的用于固态成像装置的像素,其特征在于,
所述第一深沟槽隔离和所述第二深沟槽隔离结合形成一个宽深沟槽隔离,所述一个宽深沟槽隔离的尖端和所述第一垂直金属栅的尖端以及所述第二垂直金属栅的尖端之间存在预定的空间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光辰芯光电技术有限公司(日本),未经长春长光辰芯光电技术有限公司(日本)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010477639.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的