[发明专利]一种磁电阻弛张振荡器式磁力计

权利要求书

1.一种磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，包括：电容、充电电阻、放电电阻、充放电转换开关、高电压源端、接地端以及信号输出端，所述充电电阻由至少一个充电磁阻单元构成，所述放电电阻由至少一个放电磁阻单元构成；

所述电容的第一端连接所述接地端，所述电容的第二端通过所述充放电转换开关分别与所述充电电阻、所述放电电阻以及所述信号输出端连接，所述充放电转换开关还与所述高电压源端连接；

在充电阶段，所述充放电转换开关转换到所述高电压源端，所述高电压源端通过所述充电电阻向所述电容充电；在放电阶段，所述充放电转换开关转换到所述接地端，所述电容通过所述放电电阻向所述接地端放电；

当外磁场引起所述充电电阻以及所述放电电阻的电阻变化时，所述电容的充放电时间发生变化，所述信号输出端输出的脉冲信号包含所述充电电阻或者所述放电电阻的一次或多次谐波，信号处理电路测量所述脉冲信号以对所述外磁场进行测量。

2.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，所述充电磁阻单元和所述放电磁阻单元为各向异性磁阻单元、巨磁阻单元或隧道磁阻单元。

3.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，所述充放电转换开关为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其中，所述电容的第二端和所述充电电阻的第二端均连接至所述MOSFET的栅极，所述放电电阻位于所述MOSFET的漏极和所述接地端之间，所述高电压源端分别连接至所述充电电阻的第一端和所述MOSFET的源极；或者，

所述充放电转换开关为三极管，其中，所述电容的第二端和所述充电电阻的第二端均连接至所述三极管的基极，所述放电电阻位于所述三极管的发射极和所述接地端之间，所述高电压源端分别连接至所述充电电阻的第一端和所述三极管的集电极。

4.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，所述充放电转换开关为三端双向开关，包括开端、关端和连接端，其中，所述高电压源端通过所述充电电阻连接所述开端，所述接地端通过所述放电电阻连接所述关端，所述电容的第二端连接所述连接端；

在所述充电阶段，所述开端和所述连接端导通，在所述放电阶段，所述关端和所述连接端导通。

5.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，所述充放电转换开关为三端双向开关，包括开端、关端和连接端，其中，所述充电电阻和所述放电电阻同为一个公共电阻，所述电容的第二端和所述公共电阻串联连接形成RC串，所述RC串连接所述连接端，所述高电压源端连接所述开端，所述接地端连接所述关端；

在所述充电阶段，所述开端和所述连接端导通，在所述放电阶段，所述关端和所述连接端导通。

6.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，所述充放电转换开关为三端双向开关，包括开端、关端和连接端，其中，所述充电电阻串联连接一个充电方向导通的二极管形成RD充电串，所述放电电阻串联连接一个放电方向导通的二极管形成RD放电串，所述RD充电串和所述RD放电串并联连接形成RD串，所述电容的第二端和所述RD串串联连接形成RC串，所述RC串连接所述连接端，所述高电压源端连接所述开端，所述接地端连接所述关端；

在所述充电阶段，所述开端和所述连接端导通，在所述放电阶段，所述关端和所述连接端导通。

7.根据权利要求1所述的磁电阻弛张振荡器式磁力计，其特征在于，还包括：低电压源端；

所述充放电转换开关为触发器，所述触发器的输入端和输出端互为所述高电压源端或所述低电压源端，所述充电电阻和所述放电电阻同为一个公共电阻，所述电容的第二端连接所述触发器的输入端，所述公共电阻的两端分别连接所述触发器的输入端和输出端，所述信号输出端位于所述触发器的输出端或输入端。