[发明专利]一种太阳能电池表面钝化膜生产设备

说明书

本发明公开一种太阳能电池表面钝化膜生产设备，包括两工艺镀膜柜、两石墨舟、传输装置、上料装置、移载装置；所述传输装置布置于两工艺镀膜柜之间，上料装置布置于传输装置的一端；所述工艺镀膜柜内设有可容纳一石墨舟的腔体，每一石墨舟内置于一工艺镀膜柜；所述移栽装置用于将硅片从上料装置移送至石墨舟上，及将硅片从石墨舟移送至传输装置上。本发明可在同一设备中可完成提升开压的隧穿氧化钝化薄膜和减反射膜的制备，采用伯努利吸盘可避免镀膜划伤问题；同时石墨板上硅片定位机构可减少卡点印、硅片变形、碎片率高等问题。

本申请是申请号为2018103968281，申请日为2018年4月28日，发明创造名称为一种太阳能电池表面钝化膜生产设备的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种太阳能电池表面钝化膜生产设备。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，目前的可持续能源中，太阳能是最清洁、最具有潜力的清洁能源。晶硅太阳能电池已被大规模生产应用，良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。

等离子增强化学气相沉积系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。低压化学气相沉积设备(LPCVD是一定温度下通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。

在太阳能光伏产业中，常采用PECVD制备减反射膜如氮化硅膜，碳化硅膜，氧化硅膜等；采用LPCVD制备氧化硅膜，非晶硅和微晶硅薄膜，用于提升电池开压的隧穿氧化钝化薄膜。这使得太阳能光伏电池制造过程变得复杂化，生产完可以提升开压的隧穿氧化钝化薄膜以后，还需要将硅片取出设备，放置到PECVD设备中进行表面减反射膜的制备，该过程需要对电池片进行装载和卸载，比较容易造成刮伤，设备投资较多。此外，在成本推动下，硅片将逐渐变薄至低于160μm，曲翘度变大，传统设备需垂直插拔放片，导致量产高碎片率和高划伤而无法使用。

同时传统的PECVD生产减反射膜，对于膜的单面性要求很高，传统的生产设备容易造成绕镀，不能规避卡点印问题。同时，对于超薄硅片容易造成生产过程中硅片变形，碎片率高等问题。传统的LPCVD生产氧化硅膜，微晶硅的掺杂和非掺杂的薄膜时，容易造成绕镀问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池表面钝化膜生产设备，同一设备中可完成提升开压的隧穿氧化钝化薄膜和减反射膜的制备，采用伯努利吸盘可避免镀膜划伤问题；同时石墨板上硅片定位机构可减少卡点印、硅片变形、碎片率高等问题。

为实现上述目的，采用以下技术方案：

一种太阳能电池表面钝化膜生产设备，包括两工艺镀膜柜、两石墨舟、传输装置、上料装置、移载装置；所述传输装置布置于两工艺镀膜柜之间，上料装置布置于传输装置的一端；所述工艺镀膜柜内设有可容纳一石墨舟的腔体，每一石墨舟内置于一工艺镀膜柜；所述移栽装置用于将硅片从上料装置移送至石墨舟上，及将硅片从石墨舟移送至传输装置上。

较佳地，所述石墨舟包括若干石墨板、上盖板、下盖板；所述上盖板水平布置于工艺镀膜柜的顶部内侧，下盖板水平布置于工艺镀膜柜的底部内侧；所述若干石墨板在竖向呈叠层排列，并置于上盖板和下盖板之间；所述石墨板水平布置，相邻的石墨板之间具有间隙，且相邻石墨板之间经若干连接柱连接。

较佳地，每一石墨板上设有若干硅片定位机构；所述硅片定位机构包括若干定位支柱，每一定位支柱的顶部设有防滑纹路。

较佳地，每一石墨板上的硅片定位机构设置为4～9个；每一硅片定位机构上的定位支柱设置为3个或4个。