[发明专利]电子传输材料、薄膜、量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010479560.5 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111584731B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 翁兴焕;蒋畅;乔之勇 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 传输 材料 薄膜 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子传输材料，其特征在于，包括：
有机试剂；
金属氧化物纳米颗粒，分散于所述有机试剂中；
无机盐，包括硼氢化物，分散于所述有机试剂中；
其中，所述有机试剂包括醇类物质；
所述金属氧化物纳米颗粒包括ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种的组合；
所述硼氢化物包括NaBH4、KBH4、RbBH4、Be(BH4)2、Ca(BH4)2、Mg(BH4)2和Sr(BH4)2中的任意一种或多种的组合。
2.根据权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述醇类物质为碳链长度为1至4的低级醇，所述低级醇包括乙醇、甲醇、异丁醇和丁醇中的任意一种或多种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒的浓度为12mg/ml至23mg/ml；
和/或，所述无机盐的浓度为4mg/ml至8mg/ml。
4.一种薄膜，作为电子传输层而应用于半导体器件，其特征在于，采用根据权利要求1至3中任意一项所述的电子传输材料制作而成。
5.根据权利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度为5nm至10nm。
6.根据权利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述半导体器件为发光二极管，所述发光二极管包括量子点发光二极管。
7.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠布置的下述结构：
透明导电玻璃，作为阳极；
空穴传输层；
电子阻挡层；
量子点发光层；
电子传输层，由根据权利要求4所述的薄膜构成；
铝膜，作为阴极。
8.根据权利要求7所述的子点发光二极管，其特征在于，所述铝膜的厚度为150nm。
9.一种制作量子点发光二极管的方法，其特征在于，所述方法包括：
在清洁的透明导电玻璃上，通过旋涂、退火制作空穴传输层；
在空穴传输层之上旋涂，以制作电子阻挡层；
在负压的手套箱内，通过旋涂依次制作量子点发光层和电子传输层，其中电子传输层采用根据权利要求1至3中任意一项所述的电子传输材料进行旋涂；
利用掩模板，通过热蒸的方式在电子传输层之上制作铝膜。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，制作空穴传输层的过程中，旋涂参数为4000rpm、时间为60s；
制作量子点发光层和电子传输层的过程中，旋涂参数为2000rpm、时间为60s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
