[发明专利]逆变器及电子设备有效

专利信息
申请号: 202010480024.7 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111786585B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 李迎;李勇 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537;H02M7/5387;H02M7/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 王洪
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 逆变器 电子设备
【说明书】:

本申请提供一种逆变器及电子设备,涉及逆变器领域,能够解决并联的IGBT的动态均流不平衡的问题。该逆变器包括母线电容,母线电容包括电容芯包以及位于电容芯包侧面并列设置的至少一相正极输出母排和负极输出母排;在至少一相输出母排的正极输出母排和负极输出母排之间并联设置有至少两个IGBT,至少两个IGBT中包括第一IGBT、第二IGBT;第一IGBT与正极输出母排、负极输出母排的连接位置分别比第二IGBT与正极输出母排、负极输出母排的连接位置更接近电容芯包;第一IGBT与输出母排的连接方式与第二IGBT与输出母排的连接方式存在不同;第一IGBT与输出母排的连接阻抗(R1、R2)之和大于第二IGBT与输出母排的连接阻抗(R3、R4)之和,即R1+R2>R3+R4。

技术领域

本申请涉及逆变器领域,尤其涉及一种逆变器及电子设备。

背景技术

逆变器是把直流电能转变成定频定压或调频调压交流电的转换器,广泛的应用在各领域的设备中(例如车载、手机等)。其中,IGBT(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)是逆变器中使用的主流开关器件,也在逆变器中起核心作用。

大功率设备采用的逆变器,需要通过并联的IGBT的来达到特定的电流值,以使得逆变器完成大功率输出;然而,并联设置的IGBT因距离逆变器中的母线电容器的电容芯包的走线距离不同,从而导致并联的IGBT到电容芯包的等效电感不同,进而造成并联的IGBT的动态均流不平衡的问题,容易导致逆变器的输出不稳定等弊端。

发明内容

本申请提供一种逆变器及电子设备,能够解决并联的IGBT的动态均流不平衡的问题。

本申请提供一种逆变器,包括母线电容,所述母线电容包括电容芯包以及位于所述电容芯包侧面并列设置的至少一相输出母排;每一相输出母排包括正极输出母排和负极输出母排;为了满足大功率设备的需求,所述逆变器还包括:在至少一相输出母排的正极输出母排和负极输出母排之间,并联设置的至少两个IGBT;所述至少两个IGBT中包括第一IGBT、第二IGBT;所述第一IGBT与所述正极输出母排的连接位置,比所述第二IGBT与所述正极输出母排的连接位置,更接近电容芯包;同时所述第一IGBT与所述负极输出母排的连接位置,比所述第二IGBT与所述负极输出母排的连接位置,更接近电容芯包。在此基础上,在该逆变器中通过设置所述第一IGBT与所述正极输出母排、所述负极输出母排的连接方式与所述第二IGBT与所述正极输出母排、所述负极输出母排的连接方式存在不同来调整第一IGBT、第二IGBT与输出母排在连接位置处的等效电感;具体的,通过设置所述第一IGBT与所述正极输出母排在连接位置处的连接阻抗为R1,所述第一IGBT与所述负极输出母排在连接位置处的连接阻抗为R2,所述第二IGBT与所述正极输出母排在连接位置处的连接阻抗为R3,所述第二IGBT与所述负极输出母排在连接位置处的连接阻抗为R4,同时R1、R2、R3、R4满足关系式:R1+R2>R3+R4;也即通过设置第一IGBT与所述正极输出母排和所述负极输出母排在连接位置处的总连接阻抗(R1、R2)大于第二IGBT与正极输出母排和负极输出母排在连接位置处的总连接阻抗(R3、R4),来降低第一IGBT、第二IGBT因连接位置到电容芯包的距离不同而导致的等效电感的差异,解决第一IGBT、第二IGBT的动态均流不平衡的问题。

综上所述,在本申请的逆变器中,通过设置并联设置的至少两个IGBT与正极输出母排和负极输出母排之间的连接方式存在不同,以使得连接位置距离电容芯包距离小的IGBT与输出母排的总连接阻抗,大于连接位置距离电容芯包距离大的IGBT与输出母排的总连接阻抗,从而减小了并联设置的至少两个IGBT到电容芯包的等效电感的差异,进而保证了并联设置的IGBT的动态均流平衡。

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