[发明专利]物理气相沉积装置

权利要求书

1.一种物理气相沉积装置，包括：

反应腔室；

基片支撑部件，设置在所述反应腔室的底部且与溅射靶材相对；

直流电源，用于通过直流馈入部件耦接于所述溅射靶材；

射频电源，用于通过射频馈入部件耦接于所述溅射靶材；

其中，所述直流馈入部件和所述射频馈入部件同轴分布，并且与所述中轴线同轴。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，还包括背板，设置在反应腔室的顶部，所述溅射靶材设置在所述背板上。

3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述反应腔室的底部具有第一开口，基片支撑部件通过第一开口伸入反应腔室内。

4.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述反应腔室的侧壁顶部与背板之间设置有绝缘部件。

5.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，还包括：

直流连接杆，连接在直流电源和直流馈入部件之间；

射频连接杆，连接在射频电源和射频馈入部件之间；

直流连接杆和射频连接杆同轴分布，并且与所述中轴线同轴。

6.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，还包括：

磁控管组件，位于所述反应腔室上方；

所述磁控管组件包括磁铁、驱动主轴以及径向臂，所述磁铁支撑于所述径向臂上，部分驱动主轴位于所述中轴线的一侧，部分驱动主轴与所述中轴线同轴。

7.根据权利要求6所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述驱动主轴包括第一驱动主轴、同步带和第二驱动主轴；

其中，第一驱动主轴位于所述中轴线的一侧，第二驱动主轴与所述中轴线同轴；

第一驱动主轴和第二驱动主轴通过同步带连接。

8.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置，其特征在于，还包括：

旋转致动器，位于所述中轴线的一侧，与第一驱动主轴连接。

9.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均为导电中空圆柱。

10.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述直流馈入部件和所述射频馈入部件为同一导电中空圆柱。

11.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均具有第二开口，所述第二开口位于所述中轴线的一侧，第一驱动主轴穿过所述第二开口与同步带连接，第二驱动主轴位于所述直流馈入部件和所述射频馈入部件的下方。