[发明专利]物理气相沉积装置在审

专利信息
申请号: 202010480191.1 申请日: 2020-05-30
公开(公告)号: CN111733391A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 章星;熊攀;李远;万先进 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 张靖琳
地址: 430074 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 物理 沉积 装置
【权利要求书】:

1.一种物理气相沉积装置,包括:

反应腔室;

基片支撑部件,设置在所述反应腔室的底部且与溅射靶材相对;

直流电源,用于通过直流馈入部件耦接于所述溅射靶材;

射频电源,用于通过射频馈入部件耦接于所述溅射靶材;

其中,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件同轴分布,并且与所述中轴线同轴。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括背板,设置在反应腔室的顶部,所述溅射靶材设置在所述背板上。

3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述反应腔室的底部具有第一开口,基片支撑部件通过第一开口伸入反应腔室内。

4.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述反应腔室的侧壁顶部与背板之间设置有绝缘部件。

5.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:

直流连接杆,连接在直流电源和直流馈入部件之间;

射频连接杆,连接在射频电源和射频馈入部件之间;

直流连接杆和射频连接杆同轴分布,并且与所述中轴线同轴。

6.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:

磁控管组件,位于所述反应腔室上方;

所述磁控管组件包括磁铁、驱动主轴以及径向臂,所述磁铁支撑于所述径向臂上,部分驱动主轴位于所述中轴线的一侧,部分驱动主轴与所述中轴线同轴。

7.根据权利要求6所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述驱动主轴包括第一驱动主轴、同步带和第二驱动主轴;

其中,第一驱动主轴位于所述中轴线的一侧,第二驱动主轴与所述中轴线同轴;

第一驱动主轴和第二驱动主轴通过同步带连接。

8.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:

旋转致动器,位于所述中轴线的一侧,与第一驱动主轴连接。

9.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均为导电中空圆柱。

10.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件为同一导电中空圆柱。

11.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均具有第二开口,所述第二开口位于所述中轴线的一侧,第一驱动主轴穿过所述第二开口与同步带连接,第二驱动主轴位于所述直流馈入部件和所述射频馈入部件的下方。

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