[发明专利]物理气相沉积装置在审
申请号: | 202010480191.1 | 申请日: | 2020-05-30 |
公开(公告)号: | CN111733391A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 章星;熊攀;李远;万先进 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 张靖琳 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理 沉积 装置 | ||
1.一种物理气相沉积装置,包括:
反应腔室;
基片支撑部件,设置在所述反应腔室的底部且与溅射靶材相对;
直流电源,用于通过直流馈入部件耦接于所述溅射靶材;
射频电源,用于通过射频馈入部件耦接于所述溅射靶材;
其中,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件同轴分布,并且与所述中轴线同轴。
2.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括背板,设置在反应腔室的顶部,所述溅射靶材设置在所述背板上。
3.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述反应腔室的底部具有第一开口,基片支撑部件通过第一开口伸入反应腔室内。
4.根据权利要求2所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述反应腔室的侧壁顶部与背板之间设置有绝缘部件。
5.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:
直流连接杆,连接在直流电源和直流馈入部件之间;
射频连接杆,连接在射频电源和射频馈入部件之间;
直流连接杆和射频连接杆同轴分布,并且与所述中轴线同轴。
6.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:
磁控管组件,位于所述反应腔室上方;
所述磁控管组件包括磁铁、驱动主轴以及径向臂,所述磁铁支撑于所述径向臂上,部分驱动主轴位于所述中轴线的一侧,部分驱动主轴与所述中轴线同轴。
7.根据权利要求6所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述驱动主轴包括第一驱动主轴、同步带和第二驱动主轴;
其中,第一驱动主轴位于所述中轴线的一侧,第二驱动主轴与所述中轴线同轴;
第一驱动主轴和第二驱动主轴通过同步带连接。
8.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置,其特征在于,还包括:
旋转致动器,位于所述中轴线的一侧,与第一驱动主轴连接。
9.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均为导电中空圆柱。
10.根据权利要求1所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件为同一导电中空圆柱。
11.根据权利要求7所述的物理气相沉积装置,其特征在于,所述直流馈入部件和所述射频馈入部件均具有第二开口,所述第二开口位于所述中轴线的一侧,第一驱动主轴穿过所述第二开口与同步带连接,第二驱动主轴位于所述直流馈入部件和所述射频馈入部件的下方。
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