[发明专利]一种近红外波段双D型光子晶体光纤SPR传感器

权利要求书

1.一种基于表面等离子体共振的双D型光子晶体光纤传感器，包括光子晶体光纤包层和纤芯，其特征在于：二氧化硅内部边缘排布有空气孔，两根光子晶体光纤关于光子晶体光纤的几何中心对称，光子晶体光纤均采用侧抛成D型状，侧抛表面涂覆金薄膜，其中侧抛面中间处空气孔为半圆，空气孔及其邻域构成光子晶体光纤纤芯，即空气孔围成的区域构成光子晶体光纤纤芯。

2.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：所述两根光纤关于光子晶体光纤的几何中心对称。

3.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：

所述纳米金膜的厚度为40nm。

4.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：

空气孔的直径为9um，相邻空气孔相位依次相差30°，其中侧抛中间处空气孔为半圆。

5.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：两根PCF光纤之间的距离为900nm。

6.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：上D型光纤和下D型光纤半径均为67.5um，侧抛深度均为10um。

7.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：外界待测介质折射率检测范围为1.36至1.41。

8.根据权利要求1所述的双D型光子晶体光纤传感器，其特征在于：波长在近红外区域，当待测介质折射率发生变化时，会影响共振吸收峰的位置变化，通过测量共振吸收峰的位置变化解调出待测介质的折射率的变化。