[发明专利]一种双腔室石英管结构

说明书

本发明公开了一种双腔室石英管结构，包括石英工艺管、炉门石英腔室、环形法兰、工艺气体进气管、尾排管、炉门腔室进气管和内外双密封炉门，所述石英工艺管的左端设置有炉门石英腔室，所述石英工艺管的左端设置有环形法兰，所述石英工艺管的内部固定安装有工艺气体进气管，所述石英工艺管的右端固定安装有尾排管，所述炉门石英腔室的顶部固定安装有炉门腔室进气管，所述炉门石英腔室的左侧设置有内外双密封炉门。本发明通过对常用的工艺管的结构进行改进使得该石英管保证在工艺过程中的气体反应物不在管口处存留，炉口清洁，容易与内外双密封炉门的密封状态保持良好，且其结构简单，具有广阔的发展空间以及较高的推广价值。

技术领域

本发明涉及半导体和光伏行业对晶片做低压扩散工艺技术领域，具体为一种双腔室石英管结构。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

行业中常规使用的工艺管都是石英工艺管结构形式的单直径工艺管，在工艺过程中的气体反应物会因管口为简单密封方式，同时此处温度高等多种原因，经常是密封不佳，因漏气空气中的氧在管口处产生反应，生成反应物存留，从而造成炉门和管口密封处因为反应物而粘连，更加影响密封效果，且炉口下部堆积大量反应物造成进出晶片不畅，还可以造成对后续晶片的工艺过程因炉口反应物的存留多而污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双腔室石英管结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种双腔室石英管结构，包括石英工艺管、炉门石英腔室、环形法兰、工艺气体进气管、尾排管、炉门腔室进气管和内外双密封炉门，所述石英工艺管的左端设置有炉门石英腔室，所述石英工艺管的左端设置有环形法兰，所述石英工艺管的内部固定安装有工艺气体进气管，所述石英工艺管的右端固定安装有尾排管，所述炉门石英腔室的顶部固定安装有炉门腔室进气管，所述炉门石英腔室的左侧设置有内外双密封炉门。

优选的，所述炉门石英腔室通过环形法兰与石英工艺管的外径通过焊接固定安装。

优选的，所述炉门石英腔室的环形端口进行磨平加工，且与环形法兰平行。

优选的，所述石英工艺管的尾端开设有与工艺气体进气管相适配的安装孔并焊接。

优选的，所述石英工艺管与尾排管连为一体，且相互连通。

优选的，所述炉门石英腔室配套使用设置有保温材料和石英包的内外双密封炉门。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该双腔室石英管结构，通过对常用的工艺管的结构进行改进，使用时通过进气管6对炉门石英腔室内充入惰性气体，压力微高于工艺管1内部的压力，由于压差工艺管1内部工艺气体不能外泄，同时也避免此处氧含量的存在，从而使得该石英管保证在工艺过程中的气体反应物不在管口处存留，炉口清洁，容易与内外双密封炉门的密封状态保持良好，且其结构简单，易于实现，具有广阔的发展空间以及较高的推广价值。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明图1中A处放大图；

图中：1、石英工艺管；2、炉门石英腔室；3、环形法兰；4、工艺气体进气管；5、尾排管；6、炉门腔室进气管；7、内外双密封炉门。

具体实施方式