[发明专利]一种晶圆键合界面缺陷的检测方法及存储介质有效
申请号: | 202010482220.8 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111599709B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 陈超;许向辉;姬峰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N29/06;G01N29/44 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 界面 缺陷 检测 方法 存储 介质 | ||
1.一种晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,所述晶圆键合界面缺陷的检测方法包括以下步骤:
提供一键合晶圆,所述键合晶圆包含键合界面;
将所述键合晶圆放置于扫描位置,使得所述键合晶圆的键合界面处于检测门限窗口内,且使得所述键合晶圆的金属层处于参考门限窗口内,其中,所述参考门限窗口不包含所述键合界面;
扫描检测门限窗口收集所述检测门限窗口的回波信号,将所述检测门限窗口的回波信号作为检测信号;
扫描参考门限窗口收集所述参考门限窗口的回波信号,将所述参考门限窗口的回波信号作为参考信号;
将所述检测信号与所述参考信号通过逻辑运算得到差异信号;
通过所述差异信号判断键合界面的缺陷结果。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,所述参考门限窗口的数量至少为一个。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,所述参考门限窗口与所述检测门限窗口有重叠部分但不完全重叠,所述参考门限窗口与所述检测门限窗口沿所述键合晶圆的厚度方向重叠。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,所述参考门限窗口包含所述键合晶圆的金属互联层。
5.根据权利要求1所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,将所述检测信号与所述参考信号通过逻辑运算得到差异信号的步骤包括:基于预定逻辑运算公式确定增益系数,基于所述增益系数并结合所述逻辑运算公式确定所述差异信号。
6.根据权利要求5所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,基于预定逻辑运算公式确定增益系数的方法包括:
提供所述预定逻辑运算公式,所述预定逻辑运算公式如下:
其中,an表示第n个预定增益系数;Xn表示第n个所述参考信号;Y表示所述检测信号;Z表示所述差异信号;
确定至少一个预定增益系数,并将所述至少一个预定增益系数带入到所述预定逻辑运算公式中,得到至少一个计算结果;
将所述至少一个计算结果中信噪比最大的计算结果对应的预定增益系数确定为增益系数。
7.根据权利要求6所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,基于所述增益系数并结合所述逻辑运算公式确定所述差异信号的方法包括:
将增益系数带入到逻辑运算公式中,得到的结果确定为差异信号;所述逻辑运算公式如下:
其中,bn表示第n个增益系数;Xn表示第n个所述参考信号;Y表示所述检测信号;Z表示所述差异信号。
8.根据权利要求1所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法,其特征在于,在所述提供一晶圆键合结构的步骤之前,所述晶圆键合界面缺陷的检测方法包括:预先设定所述差异信号的阈值;所述通过差异信号判断晶圆键合界面的缺陷结果的步骤包括:将所述差异信号与所述阈值对比判断所述缺陷结果。
9.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被执行时能够实现权利要求1~8中任一项所述的晶圆键合界面缺陷的检测方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造