[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。本发明的课题在于根据处理的进展来调节处理液的循环流量。基板处理装置(1)具有：处理槽(11)，其使基板W浸渍于处理液；溢流槽(12)，其对从处理槽溢出的处理液进行回收；循环配管(13)，其将处理槽(11)与溢流槽(12)连接而使处理液循环；旁通配管(20)，其绕过设置于循环配管(13)的管线上加热器(16)和过滤器(17)而与循环配管(13)并行地连接；和开闭阀(21)，其对旁通配管(20)进行开闭，在硅浓度增高的蚀刻初期等将开闭阀(21)打开，使处理槽(11)中的处理液的流量增加。

技术领域

本发明涉及用处理液对半导体晶圆、液晶显示器用基板、等离子体显示器用基板、有机EL用基板、FED(场发射显示器，Field Emission Display)、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板(以下，简称为“基板”)进行处理的基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。

背景技术

用包含磷酸的处理液进行蚀刻时，若处理液中的硅浓度增高，则存在下述情况：处理液的蚀刻能力降低、或者硅再析出而附着于基板。因此，如专利文献1、2及3的记载，提出了下述技术：在具备处理槽、溢流槽、循环配管、泵、管线上加热器(in-line heater)、过滤器和排出流路的基板处理装置中，使处理液从循环配管的自过滤器与管线上加热器之间分支出的排出流路等中通过而排出，将处理液中的硅浓度保持在恒定范围内。

另外，为了提高处理液的替换速度，还提出了在处理槽内对基板进行鼓泡的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-148245号公报

专利文献2：日本特开2018-152622号公报

专利文献3：日本特开2018-157235号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在三维NAND半导体元件的制造工序中，作为处理对象的基板在其厚度方向上具有三维结构。因此，在对基板中的氮化硅(SiN)膜进行蚀刻的工序中，蚀刻速度快，结构内的处理液的替换速度跟不上，有蚀刻后的成分在结构内析出的可能性。

于是，本发明的一个方面以能够根据处理的进展来调节处理液的循环流量作为课题。

用于解决课题的手段

本发明的一个方面可由以下这样的基板处理装置来例示。

即，本基板处理装置为下述基板处理装置，其特征在于，在用处理液对基板进行处理的基板处理装置中，具备：

处理槽，其贮存前述处理液，使前述基板浸渍于该处理液而对其进行前述处理；

溢流槽，其对从前述处理槽溢出的前述处理液进行回收；

循环配管，其将前述溢流槽与前述处理槽连通连接；

泵，其设置于前述循环配管，使前述处理液循环；

管线上加热器，其设置于前述循环配管，将前述处理液调温至处理温度；

过滤器，其设置于前述循环配管，将前述处理液中的异物除去；

第一旁通配管，其在前述管线上加热器及前述过滤器的上游侧从前述循环配管分支出，绕过前述管线上加热器及前述过滤器而与前述循环配管并行地连接；

第一开闭阀，其对前述第一旁通配管进行开闭；和

控制部，其控制前述第一开闭阀的开闭从而对在前述处理槽中流通的前述处理液的流量进行调节。