[发明专利]一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法有效
申请号: | 202010482729.2 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111574071B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 杨扬;李刚;王天齐;姚婷婷;金克武;沈红雪;彭赛奥;夏申江;程海波;王东;甘治平 | 申请(专利权)人: | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 |
主分类号: | C03C27/10 | 分类号: | C03C27/10;C03C17/34;C03C15/00;B08B11/04;H01L31/054 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 胡建豪 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透过 色系 盖板 玻璃 制备 方法 | ||
1.一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:制作玻璃基板
准备两块钠钙硅玻璃,将两块玻璃四边用UV胶水进行封边处理,再用固化机固化,清洗除去边缘溢胶,用纯水除去玻璃表面异物后,制成玻璃基板;
步骤二:刻蚀织构化结构
采用液相法,配置玻璃刻蚀液放入刻蚀槽内,加热到40-50℃,把玻璃基板放入刻蚀槽内,利用刻蚀液对玻璃基板上表面进行刻蚀5-30min,完成后对刻蚀好的玻璃基板清洗,玻璃基板上表面形成凹凸不平的织构化结构;
步骤三:沉积SiO2保护层
将具有织构化结构的玻璃基板放入等离子体清洗腔室,对玻璃基板的织构化结构面清洗10-30min,清洗后关闭射频电源,静止30min,待玻璃基板上表面温度冷却至室温后,在不破真空情况下把玻璃基板转移至磁控溅射腔室,通过磁控溅射技术在玻璃基板的织构化结构表面溅射生长出厚度为30-90nm的SiO2保护层;
步骤四:沉积SiNX介质干涉层
将步骤三中的玻璃基板破真空取出后,翻转放入等离子体清洗腔室,对玻璃基板下表面清洗10-30min,清洗后关闭射频电源,静止30min,待玻璃基板下表面温度冷却至室温后,在不破真空情况下把玻璃基板转移至磁控溅射腔室,通过磁控溅射技术在玻璃基板下表面溅射生长出厚度为30-600nm的SiNX介质干涉层。
2.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,准备两块厚度为3.2mm的钠钙硅玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,玻璃刻蚀液的配方为:按重量比将稀盐酸60-70%,氟化氢胺10-15%,草酸2-8%,余量为水混合制成。
4.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,将具有织构化结构的玻璃基板放入等离子体清洗腔室,设置本体真空度≤5×10-3Pa,工作压强为1-10×10-1Pa,Ar气流量为30-40sccm,入射角度为20-45°,射频功率为200w。
5.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,磁控溅射技术具体为:采用SiO2陶瓷靶材,Ar气做为工艺气体,工艺气体流量为40-60sccm,采用射频电源对Ar气进行离化,射频电源功率为100-250w,溅射时间5-12min。
6.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤四中,将玻璃基板翻转放入等离子体清洗腔室,设置本体真空度≤5×10-3Pa,工作压强为1-10×10-1Pa,Ar气流量为30-40sccm,入射角度为20-45°,射频功率为200w。
7.根据权利要求1所述的一种高透过宽色系盖板玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤四中,磁控溅射技术具体为:采用Si3N4陶瓷靶材,Ar气做为工艺气体,工艺气体流量为40-60sccm,N2气做为反应气体,反应气体流量为40-60sccm,采用射频电源对Ar气进行离化,射频电源功率为150-200w,反应溅射5-90min。
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