[发明专利]生产高纯度细粉的系统和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成包含目标材料、牺牲基质材料和杂质的过共晶熔体；

快速冷却所述过共晶熔体以形成过共晶合金，所述过共晶合金具有第一相和第二相，其中所述第一相由目标材料限定，且所述第二相由牺牲基质材料限定，所述牺牲基质材料形成牺牲基质，所述目标材料分散在整个牺牲基质中；

将所述过共晶合金退火以便由此产生退火的过共晶合金，所述退火配置为改变所述目标材料的形态以便由此由所述目标材料产生目标粒子，使得所述目标粒子具有小于20 μm的平均粒度；和

除去所述牺牲基质以便由此产生所述目标粒子的细粉。

2.权利要求1的方法，其中所述目标材料为硅，且所述牺牲基质材料为铝。

3.权利要求2的方法，其中所述过共晶合金包含：

基于所述过共晶合金中的所有原子计大约25至大约80原子%的硅；

基于所述过共晶合金中的所有原子计大约10至大约75原子%的铝；和

基于所述过共晶合金中的所有原子计小于大约10原子%的杂质。

4.权利要求1的方法，其中快速冷却所述过共晶熔体以大约10³ K/sec至大约10¹⁰ K/sec的速率发生。

5.权利要求1的方法，其中将所述过共晶合金退火在大约150℃至大约550℃的温度下进行大约0.1小时至大约100小时的时间。

6.权利要求1的方法，其中将所述过共晶合金退火在大约425℃至大约500℃的温度下进行大约3小时至大约6小时的时间。

7.权利要求1的方法，其中除去所述牺牲基质包括向所述退火的过共晶合金施加强酸。

8.权利要求1的方法，其中除去所述牺牲基质包括向所述退火的过共晶合金施加盐酸、磷酸和盐酸的混合物、或硝酸和盐酸的混合物。

9.权利要求1的方法，其中除去所述牺牲基质包括向所述退火的过共晶合金施加强碱。

10.权利要求1的方法，其中除去所述牺牲基质包括向所述退火的过共晶合金施加氢氧化钠或氢氧化钾。