[发明专利]图像传感器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造图像传感器器件的方法，包括：

在器件衬底的正面上形成第一光致抗蚀剂层，其中，所述第一光致抗蚀剂层具有彼此间隔开的第一沟槽；

使用所述第一光致抗蚀剂层作为掩模来执行第一注入工艺，以在所述器件衬底中形成第一隔离区域；

在所述器件衬底的正面上形成第二光致抗蚀剂层，其中，所述第二光致抗蚀剂层具有彼此间隔开的第二沟槽；

使用所述第二光致抗蚀剂层作为掩模来执行第二注入工艺，以在所述器件衬底中、并且与所述第一隔离区域交叉地形成第二隔离区域；

在所述器件衬底的正面上形成第三光致抗蚀剂层，其中，所述第三光致抗蚀剂层具有彼此隔开的第三沟槽；

使用所述第三光致抗蚀剂层作为掩模来执行第三注入工艺，以在所述器件衬底中、并且与所述第一隔离区域交叉但与所述第二隔离区域间隔开地形成第三隔离区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二光致抗蚀剂层的第二沟槽具有第一间距，并且所述第三光致抗蚀剂层的第三沟槽具有与所述第一间距相同的第二间距。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一间距大于1微米。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层的第一沟槽具有大于1微米的第三间距。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二隔离区域和所述第三隔离区域被交替地布置。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，相邻的所述第二隔离区域和所述第三隔离区域之间的间距小于1微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟槽中的每个第一沟槽是以10：1或更大的高宽比形成的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二隔离区域垂直于所述第一隔离区域。

9.一种用于制造图像传感器器件的方法，包括：

使用第一光掩模的第一图案来执行第一光刻工艺，以在器件衬底的正面上形成第一光致抗蚀剂图案，其中，所述第一图案包括具有第一间距、并且沿着第一方向布置的平行的线；

使用所述第一图案作为掩模来执行第一注入工艺，以在所述器件衬底中形成第一隔离区域；

使用第二光掩模的第二图案来执行第二光刻工艺，以在所述器件衬底的正面上形成第二光致抗蚀剂图案，所述第二图案在所述第一方向上从所述第一图案偏移小于所述第一间距的距离；

使用所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模来执行第二注入工艺，以在所述器件衬底中、并且与所述第一隔离区域间隔开地形成第二隔离区域；以及

在所述第一隔离区域和所述第二隔离区域之间形成像素。

10.一种图像传感器器件，包括：

器件衬底；

隔离区域，位于所述器件衬底中并且在所述器件衬底中限定像素区域；以及

像素，分别位于所述像素区域中，其中，所述像素中的每个像素具有长度和宽度，所述宽度小于1微米，并且所述隔离区域的一些部分的掺杂浓度大于所述隔离区域的另一部分的掺杂浓度，所述一些部分位于所述像素中的至少一个像素的四个角处，所述另一部分位于所述至少一个像素的侧壁上。