[发明专利]紫外发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010483434.7 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111564538B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利 | 申请（专利权）人： | 江西新正耀光学研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 341700 江西省赣州*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外发光二极管外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一AlN层，所述第一AlN层位于所述衬底的一侧表面；
第二AlN层，所述第二AlN层位于所述第一AlN层远离所述衬底的一侧；
SiNx/AlaGa1-aN结构层，所述SiNx/AlaGa1-aN结构层位于所述第二AlN层远离所述第一AlN层的一侧；所述SiNx/AlaGa1-aN结构层包括交替层叠的非晶SiNx插入层和AlaGa1-aN过渡层，交替周期大于等于2；沿所述衬底指向所述SiNx/AlaGa1-aN结构层的方向上，各所述AlaGa1-aN过渡层中的Al组分随着周期增加而逐渐减少；其中，0.5a≤1；
N型AlbGa1-bN欧姆接触层，所述N型AlbGa1-bN欧姆接触层位于所述SiNx/AlaGa1-aN结构层远离所述第二AlN层的一侧；
AluGa1-uN/AltGa1-tN多量子阱有源层，所述AluGa1-uN/AltGa1-tN多量子阱有源层位于所述N型AlbGa1-bN欧姆接触层远离所述SiNx/AlaGa1-aN结构层的一侧；
P型AlcGa1-cN电子阻挡层，所述P型AlcGa1-cN电子阻挡层位于所述AluGa1-uN/AltGa1-tN多量子阱有源层远离所述N型AlbGa1-bN欧姆接触层的一侧；
P型GaN欧姆接触层，所述P型GaN欧姆接触层位于所述P型AlcGa1-cN电子阻挡层远离所述AluGa1-uN/AltGa1-tN多量子阱有源层的一侧。
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，
所述非晶SiNx插入层的厚度为h1，0nmh110nm。
3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，
所述AlaGa1-aN过渡层的厚度为h2，0nmh2≤2000nm。
4.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，
沿所述衬底指向所述SiNx/AlaGa1-aN结构层的方向上，同一所述AlaGa1-aN过渡层中的Al组分恒定或渐增或渐减。
5.根据权利要求1所述的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，
沿所述衬底指向所述SiNx/AlaGa1-aN结构层的方向上，各所述AlaGa1-aN过渡层的厚度为恒定值或渐增或渐减。
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