[发明专利]具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010483503.4 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111875828A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杜伯学;邢继文;李进;许然然;肖萌;冉昭玉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08G73/10;C09D127/16;C08L79/08;H01G4/18;H01G4/33 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨欢 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 场强 聚合物 电容器 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，包括聚酰亚胺PI薄膜以及聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯二氟乙烯PVTC薄膜。
2.根据权利要求1所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，所述的聚酰亚胺PI薄膜的厚度为2.5-15μm。
3.根据权利要求1所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，PI薄膜与PVTC薄膜的体积比为17-83:83-17。
4.根据权利要求1所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，PI薄膜与PVTC薄膜的体积比为83:17。
5.根据权利要求1所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，所述的聚酰亚胺PI薄膜采用下述方式制备：将下述重量份组分：4,4’二氨基二苯醚ODA 5份，均苯四甲酸酐5.5份以及N,N-二甲基乙酰胺100份混合均匀形成PAA涂覆液，室温下使用涂膜机涂制PAA涂覆液，放入真空干燥箱进行亚胺化处理，之后进行淬火，得到PI薄膜。
6.根据权利要求5所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜，其特征在于，亚胺化处理的温度为80-350℃。
7.一种权利要求1-6任一项所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：将聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯二氟乙烯10重量份溶解到N,N-二甲基甲酰100重量份中，混合均匀形成PVTC涂覆液，在已经制作好的PI膜上使用涂膜机涂制PVTC涂覆液，放入真空干燥箱进行热处理，之后放入冰水中进行淬火，得到包含有聚酰亚胺PI薄膜以及聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氯二氟乙烯PVTC薄膜的复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜的制备方法，其特征在于，真空干燥箱设置温度为50℃，时间为10h，之后将温度升至205℃，保持5min。
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