[发明专利]一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

a、双面制绒：对N型硅片进行双面预处理、碱制绒，形成金子塔绒面；

b、单面旋涂：按体积比硼源：预湿液为1：1.5-2配比旋涂液，并使旋涂液均匀旋涂分布于制绒好的单面硅片绒面上；

c、单面氧化：控制温度650-700℃，在氮气：氧气体积比为1：2.5-3.5的气氛中氧化40-70min，在旋涂面形成一层厚度40-60nm的含硼氧化硅层；

d、形成重、轻掺杂区基底：使用掩模方式，在对应金属栅线位置形成保护重掺杂区的有机掩膜层；使用质量浓度为1-5%的HF完全去除有机掩膜层覆盖区外的含硼氧化硅层及硼源，再去除有机掩膜层；

e、完成重、轻掺杂：使用管式低压扩散，在温度920℃-960℃下进行高温推进25-40min将旋涂的硼源完全推进硅基体中，形成重掺杂区；再使用体积流量比为三氯化硼：氧气为1：4-6，控温至830-880度进行整面通源沉积，形成轻掺杂区；最后在高温980-1000度，氧气氛围中进行高温氧化形成80-100nm厚度的BSG层；

f、去除背面BSG层；

g、双面本征多晶硅；

h、双面磷掺杂；

i、去除正面PSG及正面本征多晶硅；

j、去除背面PSG及正面BSG层；

k、正面制氧化铝；

l、双面制氮化硅；

m、丝网印刷；使细栅区对应重掺杂区，非栅线区对应轻掺区。

2.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（d）中所述有机掩膜层材料为蜡，并在130-180℃的温度下烘干形成有机掩膜层。

3.根据权利要求2所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（d）中去除有机掩膜层采用按体积比氨水：双氧水：水为1：1：8-10的比例形成的混合溶液，其中，氨水和双氧水质量浓度控制在20%-30%。

4.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（g）中所述双面本征多晶硅具体操作为：使用体积流量比硅烷：氮气为1：2-3，控制温度600℃-650℃，在低压气氛中沉积15-30min使厚度达到120-160nm。

5.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（h）中双面磷掺杂具体操作为：进行高温退火，温度维持在800℃-900℃，按体积流量比计携带磷源的氮气：氮气为1：2-3，低压气氛下，时间控制在20-40min，方阻控制在40-50ohm/sq。

6.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（b）所述硼源中按体积比包括硼酸：水：丙二醇一甲醚为1：2.5-3：6.5-7。

7.根据权利要求1所述的N型TOPCon太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（b）所述预湿液中按体积比包括丙二醇一甲醚：水为1：1-2。