[发明专利]一种硅基底3-6μm红外窗口片

权利要求书

1.一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：所述红外窗口片以单晶硅为基底，所述基底两侧均镀有单层的增透膜，所述增透膜为一氧化硅膜，所述一氧化硅膜的厚度为0.537-0.696μm，所述红外窗口片适用的光波长范围为3-6μm。

2.根据权利要求1所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：所述增透膜的入射角为0°±5°；所述增透膜的入射介质为空气；所述增透膜的中心波长为4.5±0.01μm。

3.根据权利要求1所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：所述红外窗口片在3-6μm的红外波段平均透过率≥90％，极值透过率≥98％。

4.根据权利要求1所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：所述红外窗口片的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、将真空室本底抽真空至(0.9～1.0)*E-3Pa，预熔膜料为熔融状态，并加热沉积区域温度为150-170℃，恒温20-30min；所述膜料为一氧化硅，

步骤二、向真空室充入氩气，采用电子束蒸发膜料，沉积增透膜，利用离子源轰击基底使膜层致密，控制蒸发速率为0.8-1nm/s，氩气分压为(2.0～2.5)*E-2Pa，真空室真空度维持在(2.1～2.6)*E-2Pa。

5.根据权利要求4所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：步骤一中，所述一氧化硅的纯度为99.99％。

6.根据权利要求4所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：步骤二中，电子束电压为-10kV，电流为0.8-1A。

7.根据权利要求4所述的一种硅基底3-6μm红外窗口片，其特征在于：步骤二中，离子能量为200-250eV，离子束电流为30-40mA，离子分布偏差15-20％。