[发明专利]存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串及操作性穿阵列通孔TAV的存储器阵列的方法，所述方法包括：

形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠，所述堆叠包括TAV区域及操作性存储器单元串区域；

在所述堆叠中在所述操作性存储器单元串区域中形成操作性沟道材料串，且在所述堆叠中在所述TAV区域中形成虚拟沟道材料串；

在所述TAV区域中以绝缘体材料替代所述虚拟沟道材料串的至少大部分沟道材料；及

在所述TAV区域中形成操作性TAV。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述替代会移除所述沟道材料串的所有所述沟道材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述操作性沟道材料串位于构成存储器平面的一部分的横向间隔开的存储器块内；且

所述方法进一步包括：

形成相对于彼此横向间隔开的多个所述TAV区域，所述TAV区域中的至少一者位于所述存储器平面内，所述TAV区域中的至少另一者位于所述存储器平面外侧。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述替代包括：

掩蔽所述操作性存储器单元串区域中的所述操作性沟道材料串且使所述TAV区域中的所述虚拟沟道材料串保持未掩蔽；

在掩蔽所述操作性存储器单元串区域中的所述操作性沟道材料串的同时，蚀刻所述TAV区域中的所述未经掩蔽虚拟沟道材料串的所述沟道材料；及

在所述蚀刻之后，沉积所述绝缘体材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中替代所述沟道材料的所有所述绝缘体材料基本上由固态材料组成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中替代所述沟道材料的所有所述绝缘体材料由固态材料组成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中替代所述沟道材料的所述绝缘体材料包括固态材料及气态材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述绝缘体材料包括一个且仅一个孔隙空间且在所述孔隙空间中接纳所述气态材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括同时形成所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串。

10.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串之后形成所述操作性TAV。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在所述替代之后形成所述操作性TAV。

12.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串形成为个别地具有相对于彼此相同的水平形状。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串形成为个别地具有相对于彼此相同的大小及形状。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串形成为具有相对于彼此相同的间距。

15.根据权利要求14所述的方法，其包括将所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串形成为个别地具有相对于彼此相同的大小及形状。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述操作性沟道材料串及所述虚拟沟道材料串形成为个别地沿水平方向小于所述操作性TAV。

17.根据权利要求1所述的方法，其包括形成阵列下CMOS电路系统。

18.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述存储器阵列形成为包括NAND。