[发明专利]非易失性存储器件和存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，包括多个平面，多个平面中的每个包括多个单元串，其中第一平面的第一单元串连接到第一位线和多个第一字线，并且第二平面的第二单元串连接到第二位线和多个第二字线，第一单元串和第二单元串分别垂直于衬底；以及

行解码器，连接到多个第一字线和多个第二字线，并且被配置为向多个第一字线和多个第二字线施加对应的字线电压，

其中，行解码器被配置为当第一平面和第二平面中的仅一个操作时，在第一时间段中向多个第一字线和多个第二字线中的所选择的字线施加第一预脉冲来从操作平面读取数据，以及当第一平面和第二平面二者同时操作时，在第二时间段中向所选择的字线施加第二预脉冲来从操作平面读取数据，并且第二时间段与第一时间段不同。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，第二时间段长于第一时间段。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，第一单元串和第二单元串中的每个包括串联耦接的至少一个接地选择晶体管、多个存储单元和至少一个串选择晶体管。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，行解码器还被配置为当第一平面和第二平面中的仅一个操作时，在向所选择的字线施加第一预脉冲之后在第三时间段中施加第一读取电压来从操作平面读取数据，以及当第一平面和第二平面二者同时操作时，在向所选择的字线施加第二预脉冲来在第四时间段中施加第二读取电压来从第一平面和第二平面二者读取数据，并且第三时间段与第四时间段不同。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，第四时间段长于第三时间段。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，第四时间段长于第二时间段，且第三时间段长于第一时间段。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，第四时间段与第三时间段之间的第一时间差大于第二时间段与第一时间段之间的第二时间差。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，第一预脉冲的电压电平高于第一读取电压的电压电平，并且第二预脉冲的电压电平高于第二读取电压的电压电平。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，行解码器还被配置为当第一平面和第二平面中的仅一个操作时，在第五时间段中向第一单元串或第二单元串的串选择晶体管施加第一选择电压来从操作平面读取数据，以及当第一平面和第二平面二者同时操作时，在第六时间段中向第一单元串和第二单元串的串选择晶体管施加第二选择电压来从第一平面和第二平面二者读取数据，并且第五时间段与第六时间段不同。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，第六时间段长于第五时间段。

11.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，行解码器还被配置为当第一平面和第二平面中的仅一个操作时，在第七时间段中向多个第一字线和多个第二字线中的未选择的字线施加第三预脉冲来从操作平面读取数据，以及当第一平面和第二平面二者同时操作时，在第八时间段中向未选择的字线施加第四预脉冲来从操作平面读取数据，并且第八时间段与第七时间段不同。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，第八时间段长于第七时间段。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，第八时间段长于第二时间段。