[发明专利]一种电子成像探测器及其制备方法和电子显微成像系统有效
申请号: | 202010483963.7 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111613679B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 邓智;李任恺;魏桐 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L27/146 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 孟旸;王丽琴 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 成像 探测器 及其 制备 方法 显微 系统 | ||
1.一种电子成像探测器,其特征在于,所述电子成像探测器用于电镜和电子衍射成像,包括:
探测器灵敏区,所述探测器灵敏区由金刚石材料构成,所述探测器灵敏区具有相对而设的第一表面和第二表面;
平面电极,所述平面电极设置于所述第一表面;以及,
像素电极,所述像素电极设置于所述第二表面;
其中,在所述探测器灵敏区中没有PN结。
2.根据权利要求1所述的电子成像探测器,其特征在于:
所述像素电极的数量为多个,并在所述第二表面呈二维阵列分布。
3.根据权利要求2所述的电子成像探测器,其特征在于,所述电子成像探测器还包括:
保护环,所述保护环设置于所述第二表面并位于所述像素电极的外侧。
4.根据权利要求2所述的电子成像探测器,其特征在于,所述电子成像探测器还包括:
保护栅格,所述保护栅格设置于所述第二表面并位于所述像素电极的外侧以及相邻的像素电极之间。
5.根据权利要求2所述的电子成像探测器,其特征在于:
所述像素电极通过倒装键合连接于读出电路芯片。
6.根据权利要求5所述的电子成像探测器,其特征在于:
所述读出电路芯片中包括与多个所述像素电极一对一电连接的多个像素电路。
7.根据权利要求6所述的电子成像探测器,其特征在于:
所述像素电路为单电子探测模式电路、连续电荷积分模式电路和/或脉冲电荷积分模式电路。
8.根据权利要求1所述的电子成像探测器,其特征在于:
所述金刚石材料为单晶和/或多晶金刚石晶体。
9.一种电子成像探测器的制备方法,所述电子成像探测器用于电镜和电子衍射成像,包括:
制备金刚石材料的探测器灵敏区;
在所述探测器灵敏区相对而设的第一表面和第二表面分别沉积形成平面电极和像素电极;
其中,在所述探测器灵敏区中没有PN结。
10.一种电子显微成像系统,其特征在于,采用如权利要求1至8任一项所述的电子成像探测器。
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