[发明专利]非易失性存储器件和存储系统

说明书

一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。

本申请是申请日为2017年7月28日、申请号为201710637135.2、发明名称为“非易失性存储器件和存储系统”的发明专利申请的分案申请。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2016年8月4日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请10-2016-0099219的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

示例性实施例总体涉及半导体存储器件，更具体地涉及非易失性存储器件和存储系统。

背景技术

半导体存储器件通常可以分为易失性半导体存储器件和非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件可以高速地执行读取和写入操作，而存储在其中的内容可能在器件断电的情况下丢失。非易失性半导体存储器件甚至可以在断电的情况下保留存储在其中的内容。因此，非易失性半导体存储器件可以用于存储不论器件加电还是断电都要保留的内容。

非易失性半导体存储器件可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。

闪存器件是一种典型的非易失性存储器件。闪存器件可以广泛地用作诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数码相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等电子装置的语音和图像存储介质。为了提高闪存器件的读/写操作性能，闪存器件可以在多平面模式下工作。然而，期望减少在多平面模式下工作的闪存器件的字线或位线的负载。

发明内容

一些示例性实施例涉及能够增强性能的非易失性存储器件。

一些示例性实施例涉及能够增强性能的存储系统。

根据示例性实施例，非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫，并且多个垫中的每一个包括多个存储块。多个存储块中的每一个包括连接到多个字线和多个位线的多个单元串。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列并且向位线提供位线电压。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列的多个字线。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量来选择不同电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。

根据示例性实施例，非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫，并且多个垫中的每一个包括多个存储块。多个存储块中的每一个包括连接到多个字线和多个位线的多个串。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列并且向位线提供位线电压。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列的多个字线。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路在多个不同时间间隔中所选择的时间间隔期间向字线中的至少一个或位线中的至少一个施加电压，所选择的时间间隔是根据多个垫中同时操作的垫的数量来选择的。