[发明专利]封装结构的制作方法及封装结构

权利要求书

1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供载板，所述载板的至少一表面上贴装有电子元器件和通流柱；

对所述电子元器件和所述通流柱进行封装，以形成封装体；

在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成若干外接引脚；

其中，至少部分所述外接引脚的位置与所述通流柱的位置对应，所述通流柱通过所述外接引脚与外界设备连通，且所述外接引脚的横向面积大于所述通流柱的横向面积。

2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述电子元器件和所述通流柱进行封装，以形成封装体，具体包括：

对所述载板的第一表面上的所述电子元器件进行封装，以形成封装组件；

对所述载板的第二表面上的所述电子元器件和所述通流柱进行封装，以形成封装体，其中，所述第一表面和所述第二表面背离设置。

3.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述电子元器件和所述通流柱进行封装，以形成封装体的步骤之后，还包括：

对所述封装体的至少一表面进行研磨，以露出所述通流柱。

4.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成若干外接引脚，具体包括：

在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成焊垫层；

对所述焊垫层进行图形化处理，以形成若干外接引脚。

5.根据权利要求4所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成焊垫层，具体包括：

在所述封装体的一侧表面溅镀铜钛合金，以形成铜钛合金层；

在所述铜钛合金层远离所述载板的一侧表面电镀铜层；

在所述铜层远离所述铜钛合金层的一侧表面电镀锡层，以形成焊垫层。

6.根据权利要求5所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述对所述焊垫层进行图形化处理，以形成若干外接引脚，具体包括：

去除所述焊垫层表面第一预设位置处的所述锡层；

对所述焊垫层表面的第一预设位置进行处理，以去除所述第一预设位置处的所述铜层；

去除所述焊垫层表面第一预设位置处的所述铜钛合金层，以形成若干外接引脚。

7.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成若干外接引脚，具体包括：

在所述封装体的若干第二预设位置分别溅镀铜钛合金，以形成铜钛合金层；

在所述铜钛合金层远离所述载板的一侧表面依次电镀铜层及锡层，以形成若干外接引脚。

8.根据权利要求6或7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述封装体的一侧表面电镀金属层，以形成若干外接引脚的步骤之后，还包括：

去除所述外接引脚表面的锡层；

对所述外接引脚的表面进行涂覆，以形成保护层对所述外接引脚进行保护。

9.根据权利要求1-7任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述通流柱包括第一通流柱和第二通流柱，所述第一通流柱和所述第二通流柱设置在所述载板的同侧；且所述第一通流柱贴装在所述载板的一侧表面，所述第二通流柱贴装在所述电子元器件远离所述载板的一侧表面。

10.根据权利要求5或7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述铜钛合金层为0.3-3微米，所述铜层为20微米，所述锡层为3微米。