[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 202010485997.X | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111584638B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚;赖惠先 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上有一鳍状结构；
浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面；以及
一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面，
所述第一顶面位于所述第二顶面远离所述的鳍状结构的一侧，
所述栅极结构具有阶梯状的顶面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二顶面低于所述鳍状结构的顶面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包含有由下而上依序堆栈的衬垫层、导电层以及掩膜层。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，从剖面图来看，所述衬垫层具有阶梯状的剖面结构，且所述阶梯状的剖面结构具有三个不同水平高度。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层的底面低于所述鳍状结构的顶面。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构的掩膜层包含有阶梯状顶面。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构的最低底面与所述浅沟槽隔离结构的第一顶面齐平。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包含有第二栅极结构，位于所述衬底上，其中所述第二栅极结构不位于所述浅沟槽隔离结构上方。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构具有平坦顶面。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构更包含间隙壁，位于所述栅极结构两侧。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述间隙壁位于所述浅沟槽隔离结构与所述鳍状结构的交界处上。
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