[发明专利]一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法

权利要求书

1.一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，所述铜基复合材料组成和体积百分比含量为：30～50％的Cu-Zr合金和50-70％的金刚石颗粒，其中，金刚石颗粒的粒度为50～180μm；

所述铜基复合材料的制备方法为：

A、Cu-Zr合金粉末的制备：将原料Cu和原料Zr在具有氩气保护的混料机中充分混合后放入真空自耗电弧熔炼炉中，当真空度抽至р≤3Pa时，在氩气保护下进行熔炼：先控制电流在200A，保持3～5min；然后将电流升高至280～300A，保持1～2min；再将电流升高至500～1000A，保持2～3min；冷却后得到Cu-Zr合金基块；然后将Cu-Zr合金基块放入真空感应炉中，在1900～2000℃的条件下待Cu-Zr合金基块完全熔化为液态后，在水压为180～200MPa的条件下通过水雾化喷嘴雾化成水雾化合金材料，然后经过脱水、干燥后得到Cu-Zr合金粉末；

B、按照上述的体积百分比，将Cu-Zr合金粉末和纯金刚石粉末在具有氩气保护的混料机中充分混合；

C、在模具中对上述混合粉末进行预压制预烧结；其中，压实密度为60～80％；

D、最后在热压烧结炉中采用热压烧结的方式制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料。

2.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，步骤A中原料Cu采用电解铜块，原料Zr采用高纯锆块；且按照质量百分比将0.5～3.5％的原料Zr与96.5～99.5％的原料Cu混合。

3.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，步骤A中在对原料Cu和原料Zr在熔炼时，待原料全部熔化后，对熔化的原料溶体进行除气处理。

4.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，步骤C预制预烧结的具体参数为：以10℃/min的升温速度升温至650～750℃，保温1～1.5h。

5.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，步骤C预制预烧结的具体参数为：以30℃/min的升温速度升温至750～960℃，保温0.5～1h。

6.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，步骤D热压烧结具体参数为：在真空条件下进行热压烧结，烧结温度950～1100℃，压力50～80MPa，保温时间0.5～1.5h。

7.如权利要求1所述的一种利用基体合金化法制备Cu-Zr/Diamond铜基复合材料的方法，其特征在于，所述金刚石的粒度为50～180μm的金刚石颗粒。