[发明专利]一种中空MFI沸石材料及其制备方法

权利要求书

1.一种中空MFI沸石材料的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

将含有铝源、硅源、晶种、水、有机溶剂和调节剂的原料混合物在80~150℃下预晶化1~48h，再加入模板剂R，在100~250℃下晶化2~120h，得到所述的中空MFI沸石材料；

所述模板剂R选自四丙基氢氧化铵、四丙基溴化铵、正丁胺、1,6-己二胺中的至少一种；

所述中空MFI沸石材料具有中空结构，呈眼睛状；所述中空结构介于ZSM-5壳层和Silicalite-1核层中间；

所述原料混合物中，原料的摩尔比为：

SiO₂/Al₂O₃=30~1000；

调节剂/SiO₂=0.05~0.60；

H₂O/SiO₂=15~200；

所述晶种选自Silicalite-1分子筛；

所述晶种和硅源的质量比为：

晶种/SiO₂=1wt%~30wt%；

其中，所述铝源以其含有的Al₂O₃的摩尔数计算；

所述硅源以其含有的SiO₂的摩尔数或质量数计算；

所述晶种以其含有的SiO₂的质量数计算；

所述有机溶剂和硅源的摩尔比为：

有机溶剂/SiO₂=0.10~5.00；

所述模板剂R的添加摩尔量范围为：

R/SiO₂=0.02~2.00。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中空MFI沸石材料的晶粒尺寸为0.1~3μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇中至少一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅源选自硅溶胶、水玻璃、硅胶、白炭黑中至少一种；

所述铝源选自偏铝酸钠、硝酸铝、硫酸铝、氯化铝中至少一种；

所述调节剂选自无机碱或无机酸。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述无机碱选自氢氧化钠中的至少一种；

所述无机酸选自硫酸、盐酸中的至少一种。

6.权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到中空MFI沸石材料在催化裂化反应、加氢异构反应、催化裂解反应、临氢降凝反应、烷基化反应中的应用。