[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钕铁硼烧结体，其包括：

轻稀土元素LR，所述LR包括Nd；

Pr 0~16mas%；Ho，0~10mas%、且不为0；

Gd，0~5mas%；

Dy，0~3mas%；

Tb，0~3mas%；

且Gd、Dy和Tb不同时为0；

Cu，0.35~0.6mas%；

C，0~0.32mas%；

Ga，0~0.42mas%，且不为0；

Co，0~0.5mas%；

Al，0~0.5mas%；

X，0.05~0.5mas%；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；

B，0.9~1.05mas%；

余量为Fe；

mas%为各元素占所述钕铁硼烧结体的质量百分比；

所述钕铁硼烧结体的微观结构包含主相、晶界外延层和富钕相；所述主相和所述晶界外延层分布有Ho，所述富钕相分布有Cu，所述钕铁硼烧结体的晶界连续性为96%以上；其中，

所述主相和所述晶界外延层中分布有Ho元素的总质量的95%以上；

所述富钕相中分布有Cu元素总质量的70%以上。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼烧结体，其特征在于，

所述钕铁硼烧结体中总稀土含量为28.5~32.3mas%；

和/或，所述Nd的含量为14~26mas%；

和/或，所述LR还包括Pr和/或Sm；其中，当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0~16mas%、且不为0；当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0~5mas%，且不为0；

和/或，所述Ho的含量为1~8 mas%；

和/或，所述Gd的含量为0.5~3 mas%；

和/或，所述Ho和所述Gd的总含量不超过10mas%；

和/或，所述Dy的含量为0.5~2 mas%；

和/或，所述Tb的含量为0.5~2 mas%；

和/或，当所述钕铁硼烧结体包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的质量比为1：（0.01~100）；

和/或，所述Cu的含量范围为0.4~0.55mas%；

和/或，所述C的含量范围为0.05-0.25mas%；

和/或，所述Ga的含量范围为0.05~0.35mas%；

和/或，所述Co的含量为0~0.2mas%；

和/或，所述Al的含量范围为0~0.3 mas%；

和/或，所述X的含量为0.25~0.465mas%；

和/或，所述X为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；

当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围为0.01~0.3mas%；

当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围为0.1~0.3mas%；

当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围为0.04~0.31 mas%；

当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的质量比为（0.01~100）：1；

当X包括Nb和Zr时，Nb和Zr的质量比为1：（0.01~100）；

当X包括Ti、Nb和Zr时，Ti、Nb和Zr的质量比为（0.01~100）：1：（0.01~100）；

和/或，所述X还包括Mn，所述Mn的含量范围为0~0.04mas%；

和/或，所述B的含量范围为0.94~1.02mas%。