[发明专利]平面可控硅器件及其制作方法

权利要求书

1.一种平面可控硅器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底(101)相对两端制作隔离区，其中，所述衬底(101)相对两端为所述衬底(101)的上下相对两端和左右相对两端，所述隔离区包括靠近所述衬底(101)上表面的第一隔离区(102)及靠近所述衬底(101)下表面的第二隔离区(103)；

在所述衬底(101)上表面制作环形的结终端扩展区(104)；

在所述结终端扩展区(104)的环形中间制作结深高于所述结终端扩展区(104)结深的第一基区(105)，在所述衬底(101)下表面制作第二基区(106)；

在所述第一基区(105)的上表面一侧制作第一掺杂区(107)和第二掺杂区(108)，及在所述第二基区(106)的下表面一侧制作第三掺杂区(109)；

在位于所述衬底(101)上表面的至少部分所述第一隔离区(102)及至少部分所述结终端扩展区(104)上制作钝化层(110)；

在所述第一掺杂区(107)及四周区域的表面制作第一电极(111)，及在所述第二掺杂区(108)及四周区域的表面制作第二电极(112)；

在所述衬底(101)的下表面一侧制作第三电极(113)；

所述在所述衬底(101)上表面制作环形的结终端扩展区(104)的步骤，包括：

去除所述衬底(101)上的氧化层，对所述衬底(101)进行二次氧化，在所述衬底(101)上形成新的氧化层；

对所述衬底(101)上表面的氧化层进行蚀刻，形成一环形窗口；

对所述环形窗口所在区域进行氧化处理，然后通过所述环形窗口对所述衬底进行硼注入，并在硼注入完成后通过扩散处理形成结终端扩展区(104)。

2.如权利要求1所述的平面可控硅器件制作方法，其特征在于，所述在衬底(101)相对两端制作隔离区的步骤，包括：

将选取的N型硅片进行打磨，得到衬底(101)；

对所述衬底(101)进行氧化处理，在所述衬底(101)上形成一氧化层；

去除所述衬底(101)相对两端的氧化层；

在去除氧化层的所述衬底(101)的两端制作铝层；

对所述铝层进行推结处理，在所述衬底(101)相对两端形成掺杂铝的隔离区。

3.如权利要求2所述的平面可控硅器件制作方法，其特征在于，在所述结终端扩展区(104)的环形中间制作第一基区(105)，在所述衬底(101)上表面制作第二基区(106)的步骤，包括：

去除位于所述结终端扩展区(104)内的氧化层及所述衬底(101)下表面的氧化层；

对去除氧化层的区域进行氧化处理，并进行硼注入；

在硼注入完成后通过扩散处理形成所述第一基区(105)及所述第二基区(106)。

4.如权利要求3所述的平面可控硅器件制作方法，其特征在于，在所述第一基区(105)的上表面一侧制作第一掺杂区(107)和第二掺杂区(108)，及在所述第二基区(106)的下表面一侧制作第三掺杂区(109)的步骤，包括：

在所述衬底(101)的上表面及下表面涂覆光刻胶层；

通过掩膜对所述光刻胶层进行光刻，在所述第一基区(105)的光刻胶层上刻出两个掺杂区窗口，在所述第二基区(106)上的光刻胶层上刻出一个掺杂区窗口；

通过掺杂区窗口分别对所述第一基区(105)和所述第二基区(106)进行磷注入，并在磷注入完成后通过扩散处理，在所述第一基区(105)的上表面形成第一掺杂区(107)和第二掺杂区(108)，在所述第二基区(106)的下表面形成第三掺杂区(109)。

5.如权利要求4所述的平面可控硅器件制作方法，其特征在于，所述在位于所述衬底(101)上表面的至少部分所述第一隔离区(102)及至少部分所述结终端扩展区(104)上制作钝化层(110)的步骤，包括：

除去所述衬底(101)上的光刻胶层及氧化层；

在所述衬底(101)上表面的至少部分所述第一隔离区(102)及至少部分所述结终端扩展区(104)上制作多层组合膜，得到所述钝化层(110)。